DMTH10H032SDVW 是一款来自 Diodes 公司的高效能功率 MOSFET,采用 TSSOP 封装。该器件专为高频开关应用设计,具有极低的导通电阻和快速开关特性。适用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、负载开关以及其他需要高性能功率管理的应用场景。
该器件的主要特点是其高效率和高可靠性,能够在较高的工作频率下保持稳定的性能表现。
型号:DMTH10H032SDVW
类型:N-Channel MOSFET
封装:TSSOP
VDS(漏源电压):30V
RDS(on)(导通电阻):10mΩ(典型值,VGS=10V时)
IDS(持续漏电流):47A
功耗:16W
栅极电荷:19nC(典型值)
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
DMTH10H032SDVW 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),能够显著降低传导损耗,提升系统效率。
2. 快速的开关速度,支持高频工作环境,适合现代电源转换需求。
3. 高雪崩能量能力,增强在恶劣条件下的鲁棒性。
4. 支持大电流操作,能够满足高功率应用的需求。
5. 工作温度范围宽广,确保在极端环境下的可靠运行。
6. 小型封装设计,节省 PCB 空间,适合紧凑型设计需求。
这些特性使得 DMTH10H032SDVW 成为各种高效率功率转换和电源管理应用的理想选择。
DMTH10H032SDVW 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(Switching Power Supplies)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统 (BMS)
5. 负载开关
6. 汽车电子设备中的功率管理模块
7. 工业自动化设备中的电源部分
由于其出色的电气特性和热性能,该器件特别适合于需要高效能和稳定性的应用场合。
DMTH11H032SDVW, IRFZ44N, FDP5500