您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DMT8030LFDF

DMT8030LFDF 发布时间 时间:2025/5/23 6:20:00 查看 阅读:3

DMT8030LFDF是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,专为低导通电阻和高开关速度的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有出色的热性能和电气性能,适用于各种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为LFDF(Low-Profile Dual Flat),能够提供良好的散热特性和紧凑的安装尺寸。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:25nC
  总电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:LFDF

特性

DMT8030LFDF具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低功耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用。
  3. 强大的电流承载能力,支持大功率电路设计。
  4. 优异的热稳定性,确保在高温环境下仍能可靠运行。
  5. 小型化封装,节省PCB空间,便于实现紧凑型设计。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

DMT8030LFDF广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 直流-直流转换器的核心功率开关。
  3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
  4. 汽车电子系统中的负载切换。
  5. 大功率LED驱动电路中的开关元件。
  6. 各种需要高效功率管理的场景。

替代型号

DMT8030LFT1G, DMT8030LFGS

DMT8030LFDF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价