DMT8030LFDF是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,专为低导通电阻和高开关速度的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有出色的热性能和电气性能,适用于各种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为LFDF(Low-Profile Dual Flat),能够提供良好的散热特性和紧凑的安装尺寸。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:30A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:25nC
总电容:1200pF
工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:LFDF
DMT8030LFDF具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,可有效降低功耗并提高效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用。
3. 强大的电流承载能力,支持大功率电路设计。
4. 优异的热稳定性,确保在高温环境下仍能可靠运行。
5. 小型化封装,节省PCB空间,便于实现紧凑型设计。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
DMT8030LFDF广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器的核心功率开关。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 大功率LED驱动电路中的开关元件。
6. 各种需要高效功率管理的场景。
DMT8030LFT1G, DMT8030LFGS