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DMT616MLSS-13 发布时间 时间:2025/8/2 5:05:41 查看 阅读:13

DMT616MLSS-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率、低电压应用,如电源管理、电池供电设备和负载开关控制等场景。DMT616MLSS-13采用SOT26(SC-74A)小型封装,具有较低的导通电阻和良好的热性能,适用于便携式电子设备中的紧凑电路设计。

参数

类型:P沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):600mA
  最大漏-源电压(VDS):-20V
  最大栅-源电压(VGS):±12V
  导通电阻(RDS(on)):最大0.45Ω @ VGS = -4.5V
  阈值电压(VGS(th)):-0.65V至-1.5V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOT26(SC-74A)

特性

DMT616MLSS-13是一款高性能的P沟道MOSFET,具有低导通电阻的特性,使其在导通状态下损耗较低,适用于需要高效率的电源管理系统。其低阈值电压确保了在较低的控制电压下也能可靠地导通,非常适合用于电池供电设备和低压控制系统。此外,该器件采用SOT26封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,同时具备良好的散热性能,以确保在较高工作温度下也能稳定运行。DMT616MLSS-13还具备较高的耐用性和可靠性,能够承受一定的过载和瞬态电压,适用于工业级和消费类电子产品。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,在-1.8V至-12V之间均可正常工作,为设计者提供了较大的灵活性。此外,其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。在应用中,DMT616MLSS-13常用于负载开关、电机控制、DC-DC转换器以及各种便携式设备的电源管理模块。

应用

DMT616MLSS-13适用于多种低电压、高效率的电源管理应用。常见应用包括电池供电设备中的负载开关控制、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路以及各类便携式电子设备中的功率管理模块。其小尺寸封装和优异的电气性能使其成为移动设备、可穿戴设备、工业控制系统以及消费类电子产品中理想的功率开关元件。

替代型号

Si4435BDY-T1-GE3, FDMS86180, AO4406A

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DMT616MLSS-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥1.32620卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)14 毫欧 @ 8.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)785 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.39W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOP
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)