时间：2025/12/26 11:44:59
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DMT6004SPS-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用高密度沟道技术制造，适用于多种电源管理和开关应用。该器件封装在SOT-23（Small Outline Transistor）小型表面贴装封装中，具有极小的体积和良好的热性能，适合空间受限的便携式电子设备使用。DMT6004SPS-13以其低导通电阻、高开关速度和出色的可靠性，在消费电子、通信设备和工业控制领域得到了广泛应用。该MOSFET设计用于在低电压条件下实现高效的功率切换，尤其适合电池供电系统中的负载开关、电源路径管理以及信号路由功能。其P沟道结构允许在栅极施加低于源极的电压时导通，简化了驱动电路的设计，特别是在高侧开关应用中表现出色。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-Free）特性，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式，DMT6004SPS-13成为许多高性能、低功耗设计中的理想选择。
型号：DMT6004SPS-13
类型：P沟道MOSFET
封装/外壳：SOT-23
工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：-1.9A（TA=25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：-4.8A
导通电阻（RDS(on)）：55mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻（RDS(on)）：70mΩ @ VGS = -2.5V
阈值电压（VGS(th)）：-0.65V ~ -1.0V
输入电容（Ciss）：270pF @ VDS = -10V
反向恢复时间（trr）：未指定
功率耗散（PD）：350mW（TA=25°C）
导通延迟时间（td(on)）：8ns
关断延迟时间（td(off)）：22ns
DMT6004SPS-13采用了先进的沟道工艺设计，具备极低的导通电阻特性，使其在低电压工作条件下仍能保持高效的能量转换效率。其典型RDS(on)仅为55mΩ（在VGS = -4.5V时），显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统的整体能效，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。该器件的栅极阈值电压范围为-0.65V至-1.0V，确保了在低控制电压下也能实现可靠的开关动作，兼容3.3V或更低逻辑电平的驱动信号，无需额外的电平转换电路即可直接由微控制器或其他数字IC驱动。
该MOSFET具有快速的开关响应能力，导通延迟时间为8ns，关断延迟时间为22ns，能够在高频开关应用中有效减少开关损耗，提高系统动态响应性能。其输入电容仅为270pF，在高频操作中减少了驱动电路的负载，进一步提升了开关效率。SOT-23封装不仅节省PCB空间，还提供了良好的散热性能，使器件在持续负载下仍能稳定运行。该封装也便于自动化贴片生产，提高了制造效率和产品一致性。
DMT6004SPS-13具备优良的雪崩能量耐受能力和过温保护特性，增强了其在瞬态负载变化或短路情况下的鲁棒性。内置体二极管具有较快的反向恢复特性，虽然未明确标称trr值，但在多数非硬开关场景中表现良好。该器件支持高达-4.8A的脉冲漏极电流，能够应对短暂的大电流冲击，如电机启动或电容充电过程中的浪涌电流。其工作结温可达150°C，保证了在高温环境下的可靠运行。此外，产品通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于对可靠性要求较高的汽车电子模块。
DMT6004SPS-13广泛应用于各类便携式电子设备中，作为电源开关、负载开关或反向电流阻断器使用。常见于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等产品中，用于控制不同功能模块的上电时序或实现节能待机模式。在这些应用中，它能够高效地切断未使用电路的供电路径，防止漏电流导致电池电量浪费。此外，该器件也常用于DC-DC转换器的同步整流电路中，尤其是在降压拓扑的高侧开关配置中发挥关键作用，提升转换效率并降低发热。
在通信接口保护电路中，DMT6004SPS-13可用于USB端口的电源管理，提供过流和热插拔保护功能。当检测到异常负载时，可通过控制栅极迅速切断输出，保障主控芯片安全。工业控制系统中的传感器模块、PLC输入输出单元也采用此类小型MOSFET进行信号隔离与电源切换。此外，该器件适用于电池管理系统（BMS）中的充放电通路控制，配合保护IC实现精准的充放电管理。在音频设备中，可用于耳机插拔检测后的电源接通控制，避免插拔瞬间产生爆音。其高可靠性与小型化特点也使其成为医疗电子、智能家居设备及物联网终端中的优选功率开关元件。
DMG2304L-7
FDC630P
AO3401A
BSS84
