型号：DMT6004LPS-13
　　通道类型：P沟道
　　漏源电压(VDS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-4A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-12A
　　导通电阻(RDS(on))：40mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：50mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻(RDS(on))：60mΩ @ VGS = -1.8V
　　阈值电压(VGS(th))：-1V ~ -2V
　　输入电容(Ciss)：320pF @ VDS=10V
　　开关时间(上升/下降)：~15ns / ~10ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23 (SC-70)
　　功率耗散(PD)：500mW

DMT6004LPS-13采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备优异的电学性能和热稳定性，特别适合在低压、高效率的功率开关应用中使用。其核心优势之一是极低的导通电阻，在VGS = -4.5V时RDS(on)仅为40mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。即使在较低的栅极驱动电压（如-2.5V或-1.8V）下，其RDS(on)仍能保持在可接受范围内（分别为50mΩ和60mHz），使其兼容3.3V或更低逻辑电平的控制信号，适用于现代低电压数字控制系统。
　　该器件具有快速的开关响应能力，其开关时间通常在十几纳秒量级，上升时间约15ns，下降时间约10ns，能够支持高频开关操作，适用于DC-DC转换器、同步整流等需要高速切换的应用场景。同时，其输入电容（Ciss）仅为320pF（在VDS=10V条件下），减少了栅极驱动电路的负载，进一步提升了开关效率并降低了驱动功耗。
　　SOT-23（SC-70）封装不仅尺寸紧凑（典型尺寸约为2mm x 1.25mm），便于在高密度PCB布局中使用，而且具备良好的散热性能，结合其500mW的功率耗散能力，可在有限的空间内实现可靠的热管理。器件的工作结温范围高达+150°C，存储温度范围为-55°C至+150°C，表现出优秀的环境适应性，可在较宽的温度范围内稳定运行。
　　此外，DMT6004LPS-13符合RoHS环保标准，并通过了多项可靠性测试，包括高温反向偏置测试（HTRB）、高温栅极偏置测试（HTGB）等，确保长期使用的可靠性。其P沟道结构简化了高边开关的设计，无需额外的电荷泵电路即可实现负载开关或电源路径控制功能，广泛用于电池管理系统、移动设备电源切换、热插拔控制器等应用场景。

DMT6004LPS-13因其小尺寸、低导通电阻和良好的开关特性，被广泛应用于各类低电压、便携式电子设备中的电源管理和功率控制场景。典型应用包括手持式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的负载开关和电源路径管理模块，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能和系统保护。在电池供电系统中，它可用于电池反接保护、充放电控制以及多电源选择电路。
　　在DC-DC转换器拓扑中，尤其是非隔离式降压（Buck）变换器中，DMT6004LPS-13可作为上管开关使用，配合控制器实现高效的电压调节。虽然N沟道MOSFET在高端开关中更为常见，但P沟道器件的优势在于无需复杂的栅极驱动电路，尤其适用于输入电压较低（如5V或3.3V）的场合，简化了设计复杂度并降低成本。
　　此外，该器件也常用于电机驱动电路中的H桥结构，作为低端或高端开关元件，控制小型直流电机或步进电机的方向与启停。在热插拔（Hot-swap）应用中，它可以作为电源开关来限制浪涌电流，防止系统在带电插拔时发生损坏。其他应用还包括LED驱动、传感器供电控制、USB端口电源管理以及各类需要远程控制电源通断的嵌入式系统。凭借其高可靠性与小型化封装，DMT6004LPS-13成为众多空间敏感型设计的理想选择。

DMG2305UX-7
　　FDML8218
　　Si2301DS
　　FDC630P