时间：2025/8/2 5:49:00
阅读：22
DMT4008LSS-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻和高可靠性。DMT4008LSS-13采用SOT26（SOT-26）封装，适用于空间受限的便携式电子设备和高效能电源系统。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-4.1A（@VGS= -10V）
导通电阻（RDS(on)）：85mΩ（@VGS= -10V）
导通阈值电压（VGS(th)）：-1.1V至-2.5V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装：SOT26（SOT-26）
DMT4008LSS-13具有多项优良特性，适用于多种电子系统设计。其P沟道结构使其在高边开关应用中表现出色，特别适合用于电池供电设备的电源管理。
该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）可减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在高负载电流下，低RDS(on)也能减少发热，提高系统稳定性。
此外，DMT4008LSS-13支持较高的栅极电压（±20V），提高了其在不同电路设计中的适用性。其导通阈值电压较低，确保在较低的控制电压下也能可靠导通，适用于低功耗控制电路。
采用SOT26封装，使DMT4008LSS-13具备良好的热性能和空间利用率，适用于紧凑型设计。该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于现代绿色电子产品的制造要求。
DMT4008LSS-13广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 电池供电设备中的电源管理与负载开关
2. DC-DC转换器和电源管理系统
3. 笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子产品
4. 服务器和通信设备的电源控制电路
5. 电机驱动和工业控制系统
6. 电源适配器和充电器电路
Si4435BDY-E3-GE3, FDN340P, AO4403, IRML2803
