时间：2025/8/2 5:22:01
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DMT35M4LFVW-7是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率开关和电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽技术，能够在较小的封装中提供高性能和高可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：35A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：12.5mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：PowerPAK SO-8
DMT35M4LFVW-7具有低导通电阻（RDS(ON)），这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗并提高效率。该MOSFET采用先进的沟槽式工艺技术，能够提供较高的电流密度和较低的开关损耗。此外，它还具有良好的热稳定性和较高的耐用性，适用于要求较高的工业和消费类电子设备。
这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可以在不同的电源管理系统中灵活应用。其封装设计优化了散热性能，确保在高负载情况下仍能保持稳定运行。此外，DMT35M4LFVW-7还具备较强的短路耐受能力，进一步增强了其在复杂工作环境中的可靠性。
DMT35M4LFVW-7广泛应用于多种电源管理系统和功率控制电路中，例如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关以及电机驱动器等。由于其低导通电阻和高电流处理能力，该器件特别适合用于高效率的电源设计。此外，它还适用于需要高性能和高可靠性的便携式电子设备和汽车电子系统。
DMN35M4LFG-13, FDS4410, Si4410BDY
