时间：2025/8/2 6:05:56
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DMT10H014LSS-13 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于负载开关、电源管理和电池供电设备中的高效能应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高可靠性。该 MOSFET 采用 SOT26 封装，适合空间受限的便携式电子产品使用。其设计确保了在低电压应用中实现高效能和高稳定性。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压 (Vds)：-20V
栅源电压 (Vgs)：±12V
漏极电流 (Id)：-10A（Vgs= -4.5V）
导通电阻 (Rds(on))：14mΩ（最大值，Vgs= -4.5V）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：SOT26
DMT10H014LSS-13 采用先进的沟槽技术，具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，确保在高电流应用中实现最小的功率损耗。该器件的漏极电流额定值为 -10A，在负载开关和电源管理系统中表现出色。其栅源电压范围为 ±12V，适用于多种驱动电路。
该 MOSFET 在 -4.5V 的栅极驱动电压下仍能保持优异的性能，适用于由电池供电的设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其 SOT26 封装形式提供了紧凑的尺寸解决方案，适合高密度 PCB 设计。
DMT10H014LSS-13 具有良好的热稳定性和抗静电能力，能够在苛刻的环境中可靠运行。该器件符合 RoHS 标准，支持无铅焊接工艺，适用于环保型电子产品设计。此外，其快速开关特性有助于提高系统效率，减少开关损耗，适用于高频电源转换应用。
DMT10H014LSS-13 广泛应用于负载开关、电源管理系统、电池供电设备、DC-DC 转换器、电机控制器和便携式电子产品中。它特别适用于需要高效能和高可靠性的场合，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和工业控制系统。
Si7153DP-T1-GE3, FDC6303L, AO4496
