产品型号：DMS3016SSS-13
　　制造商：Diodes Incorporated
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：7.4A
　　脉冲漏极电流（IDM）：29.6A
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：1.2V ~ 2.3V
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：16mΩ 最大
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=2.5V：22mΩ 最大
　　栅极电荷（Qg）@4.5V：6.5nC 典型
　　输入电容（Ciss）：570pF 典型
　　功率耗散（PD）：2.5W @25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerDI5060 (SM8)

DMS3016SSS-13采用先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡，使其在低电压大电流的应用场景中表现出色。其最大导通电阻在VGS=4.5V时仅为16mΩ，这意味着在典型负载条件下可大幅降低I2R损耗，提高电源转换效率。更重要的是，即使在较低的栅极驱动电压如2.5V下，其RDS(on)仍保持在22mΩ以内，这使得它非常适合用于由电池供电或采用逻辑电平信号直接驱动的便携式设备。这种低阈值电压特性和优异的低电压驱动能力确保了在轻载和重载情况下都能维持高效运行。
　　该器件的栅极电荷（Qg）仅为6.5nC（典型值），意味着在开关过程中所需的驱动能量非常小，有助于减小控制器的驱动负担，并进一步降低动态损耗。同时，输入电容Ciss为570pF，保证了较快的开关速度，适用于高频操作的同步整流和开关电源拓扑结构，例如Buck、Boost及多相VRM设计。PowerDI5060封装不仅体积小巧（约5mm x 6mm），而且底部带有裸露焊盘，能够通过PCB有效散热，显著提升热传导效率。相比传统SO-8封装，其热阻（RθJA）更低，支持更高的功率密度设计。
　　在可靠性方面，DMS3016SSS-13经过严格测试，具备优良的抗雪崩击穿能力和稳健的ESD防护性能。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端温度环境下稳定运行，适合工业级和消费类多种应用场景。此外，器件符合RoHS环保标准，无卤素，满足现代电子产品对绿色环保的要求。整体而言，DMS3016SSS-13是一款集高性能、小型化、高效率于一体的先进功率MOSFET，在空间受限且追求高能效的设计中具有显著优势。

DMS3016SSS-13广泛应用于各类中小型功率电源管理系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电池保护电路、负载开关和电源路径管理；在笔记本电脑和平板电脑的DC-DC降压变换器中作为高边或低边开关使用；也可用于服务器主板上的多相电压调节模块（VRM），以提供稳定的CPU/GPU供电。此外，该器件适用于USB PD快充适配器、无线充电发射模块、LED背光驱动电路以及电信和网络设备中的点负载转换器。由于其出色的热性能和紧凑封装，特别适合高密度PCB布局设计，有助于缩小终端产品的整体尺寸。在电机控制、传感器供电、热插拔电路和电源分配系统中也有广泛应用。凭借其可靠的电气特性和环境适应性，DMS3016SSS-13已成为许多高端消费类和工业类电子产品中不可或缺的关键元件。

DMG3016SSS-13
　　AON6204
　　FDS6680A
　　NVMFS5C6N03WL