型号：DMS3015SSS-13
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.4A（@ TC=70°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V（典型值约-1.4V）
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（@ VGS = -10V）；60mΩ（@ VGS = -4.5V）；85mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　输入电容（Ciss）：390pF（@ VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：140pF
　　反向传输电容（Crss）：40pF
　　栅极电荷（Qg）：8.5nC（@ VGS=10V）
　　体二极管反向恢复时间（Trr）：28ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-59）

DMS3015SSS-13具备出色的低导通电阻特性，使其在P沟道MOSFET中表现出较高的效率。其RDS(on)在-10V栅压下仅为45mΩ，在-4.5V时为60mΩ，这使得它能够在低电压逻辑控制下实现高效的电源开关功能，特别适用于3.3V或5V供电系统中的负载切换。由于其P沟道结构，该器件在关断高边开关时无需额外的电荷泵电路，简化了电源设计并降低了整体成本。器件的阈值电压范围合理，确保在正常工作条件下能够可靠开启与关闭，避免误触发。
　　该MOSFET采用先进的沟槽技术制造，优化了载流子迁移路径，提升了开关速度和热稳定性。其输入电容较低（390pF），有助于减少驱动损耗，提高高频开关效率。同时，较短的体二极管反向恢复时间（28ns）降低了在感性负载切换过程中的能量损耗和电压尖峰风险，增强了系统的可靠性。SOT-23封装不仅体积小，而且具有良好的散热性能，适合自动化贴片生产，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间敏感的产品中。
　　此外，DMS3015SSS-13通过了AEC-Q101车规认证的部分测试项目，具备一定的工业和汽车应用潜力。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛环境下的长期运行。器件还具备良好的抗静电能力（HBM ESD rating ≥ 2kV），提高了在装配和使用过程中的鲁棒性。所有这些特性共同使DMS3015SSS-13成为一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET解决方案。

DMS3015SSS-13广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理电路。常见用途包括锂电池供电系统的高边负载开关，用于控制外部模块的上电与断电，从而实现节能和系统保护。在移动设备如智能手机和平板电脑中，可用于摄像头模组、显示屏背光或外设接口的电源控制。此外，该器件也适用于USB端口的电源开关，防止过流或短路故障影响主电源系统。
　　在嵌入式系统和微控制器单元（MCU）外围电路中，DMS3015SSS-13常被用作电源通断控制开关，配合GPIO信号实现低功耗待机模式。它也可用于电池反接保护电路，利用其体二极管和导通特性阻止反向电流流动，保护后级电路安全。在DC-DC转换器的同步整流或预稳压电路中，该MOSFET可作为辅助开关元件，提升整体转换效率。
　　由于其小型封装和良好热性能，该器件同样适用于空间受限的工业传感器、IoT节点设备和无线通信模块中。在汽车电子领域，可用于车身控制模块中的灯光控制或车窗驱动的小功率开关电路。总之，任何需要低电压驱动、小尺寸、高效率P沟道开关的应用场景，都是DMS3015SSS-13的理想选择。

DMG2305UX-7
　　FDN360P
　　ZXM61P02F
　　FMMT718