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DMS3014SSS-13-F 发布时间 时间:2025/6/4 17:56:56 查看 阅读:5

DMS3014SSS-13-F 是一款高性能的表面贴装封装 SMD MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率管理应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度以及优异的热性能,适用于各种需要高效功率转换的应用场景。
  这款 MOSFET 采用小型化设计,便于在紧凑型电路板中使用,同时支持大电流操作,确保其能够在苛刻的工作条件下保持稳定性能。

参数

型号:DMS3014SSS-13-F
  类型:N沟道增强型MOSFET
  VDS(漏源极电压):60V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ
  ID(连续漏极电流):58A
  VGS(th)(栅极开启电压):2.3V
  Qg(总栅极电荷):17nC
  EAS(雪崩能量):1.4J
  封装:SOT223
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

DMS3014SSS-13-F 的主要特点是低导通电阻(RDS(on)),这有助于降低功率损耗并提高效率。此外,它还具备高耐压能力(VDS 高达 60V)和大电流处理能力(ID 最大 58A)。
  该器件的栅极阈值电压较低,可以与低压逻辑电路直接兼容,简化了驱动设计。同时,其快速开关特性和低栅极电荷有助于减少开关损耗,在高频应用中表现出色。
  另外,该芯片采用了坚固耐用的设计,具有较高的雪崩能量承受能力(EAS = 1.4J),从而增强了系统的可靠性和抗干扰能力。

应用

DMS3014SSS-13-F 广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和功率因数校正 (PFC)。
  2. 直流电机驱动器中的桥式电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换装置中的关键组件。
  由于其强大的性能指标和小尺寸封装,DMS3014SSS-13-F 成为许多高密度 PCB 设计的理想选择。

替代型号

DMP3014SSS-13-F, DMP3014KSA-13-F

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