DMS3014SSS-13-F 时间：2025/6/4 17:56:56 阅读：5

DMS3014SSS-13-F 是一款高性能的表面贴装封装 SMD MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率管理应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度以及优异的热性能，适用于各种需要高效功率转换的应用场景。
　　这款 MOSFET 采用小型化设计，便于在紧凑型电路板中使用，同时支持大电流操作，确保其能够在苛刻的工作条件下保持稳定性能。

参数

型号：DMS3014SSS-13-F
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　VDS（漏源极电压）：60V
　　RDS(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
　　ID（连续漏极电流）：58A
　　VGS(th)（栅极开启电压）：2.3V
　　Qg（总栅极电荷）：17nC
　　EAS（雪崩能量）：1.4J
　　封装：SOT223
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

DMS3014SSS-13-F 的主要特点是低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低功率损耗并提高效率。此外，它还具备高耐压能力（VDS 高达 60V）和大电流处理能力（ID 最大 58A）。
　　该器件的栅极阈值电压较低，可以与低压逻辑电路直接兼容，简化了驱动设计。同时，其快速开关特性和低栅极电荷有助于减少开关损耗，在高频应用中表现出色。
　　另外，该芯片采用了坚固耐用的设计，具有较高的雪崩能量承受能力（EAS = 1.4J），从而增强了系统的可靠性和抗干扰能力。

应用

DMS3014SSS-13-F 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和功率因数校正 (PFC)。
　　2. 直流电机驱动器中的桥式电路。
　　3. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
　　4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　5. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换装置中的关键组件。
　　由于其强大的性能指标和小尺寸封装，DMS3014SSS-13-F 成为许多高密度 PCB 设计的理想选择。