时间：2025/8/2 6:08:53
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DMPH6050SSD-13 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关电路中。这款器件采用高性能的平面工艺制造，具有低导通电阻、高可靠性以及优良的热稳定性。它特别适用于需要高效能和小型化设计的电源系统，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及各种便携式电子设备。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：-60A
最大漏源电压 (VDS)：-60V
最大栅源电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：6.5mΩ @ VGS = -10V，10.5mΩ @ VGS = -4.5V
封装类型：PowerPAK SO-8 双片封装
工作温度范围：-55°C 至 150°C
DMPH6050SSD-13 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。在 VGS 为 -10V 时，RDS(on) 仅为 6.5mΩ，而在较低的 VGS 电压（如 -4.5V）下，RDS(on) 也保持在 10.5mΩ 的低水平，这使得该器件能够在多种驱动条件下保持高效能。
此外，该 MOSFET 具有优异的热管理性能，其 PowerPAK SO-8 双片封装设计提供了良好的散热能力，能够在高电流负载下保持稳定的工作温度。这种封装也具备较小的 PCB 占用空间，适合对尺寸敏感的应用场景。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 -4.5V 至 -20V 的 VGS 操作，增强了其在不同电路设计中的兼容性。同时，DMPH6050SSD-13 还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在复杂的工作环境中保持稳定的运行。
由于采用了先进的制造工艺，该 MOSFET 的开关速度较快，能够实现高效的高频操作，适用于开关电源、同步整流等高频应用场合。
DMPH6050SSD-13 主要应用于需要高效功率管理的电子系统中。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件可以用作主开关或同步整流器，以提高转换效率并减少热量产生。在电池管理系统中，它可作为负载开关，用于控制电池的充放电过程，提供高可靠性和低功耗特性。
此外，该 MOSFET 在服务器、通信设备和工业控制系统中也有广泛的应用，特别是在需要高效率和高功率密度的电源模块中。它的低导通电阻和优异的热性能使其成为高性能电源设计的理想选择。
在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，DMPH6050SSD-13 也可用于电源管理电路，以延长电池寿命并提高设备的整体性能。
Si7461DP, IRF7460PBF, FDS6680, AO4407A
