类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-1.9A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.8A
　　导通电阻（RDS(on)）：37mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -1.6V
　　输入电容（Ciss）：300pF @ VDS = -10V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS = -10V
　　输出电容（Coss）：190pF @ VDS = -10V
　　开启时间（Ton）：约15ns
　　关闭时间（Toff）：约25ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

DMPH6023SK3Q-13采用先进的沟槽工艺技术，实现了极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统整体效率。其RDS(on)在VGS = -4.5V时仅为37mΩ，在同类P沟道MOSFET中表现出色，特别适合用于低电压、低功耗的开关应用。由于其低导通电阻特性，该器件在电池供电系统中能够有效延长续航时间。此外，该MOSFET的栅极电荷量较低，配合快速的开关响应时间（开启约15ns，关闭约25ns），使其非常适合高频开关操作，例如DC-DC转换器或同步整流电路中的控制开关。
　　该器件的SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，能够在有限的空间内实现较高的电流承载能力。尽管封装小巧，但通过优化芯片布局和封装材料，DMPH6023SK3Q-13仍能支持高达-1.9A的连续漏极电流（在25°C下），并在短时间内承受-4.8A的脉冲电流，展现出较强的瞬态负载应对能力。其阈值电压范围为-1.0V至-1.6V，确保在低栅极驱动电压下也能可靠导通，兼容3.3V或更低逻辑电平的控制信号，适用于现代微控制器直接驱动的应用场景。
　　热稳定性方面，DMPH6023SK3Q-13的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，能够在恶劣环境条件下保持稳定运行，适用于工业控制、汽车电子外围模块等对可靠性要求较高的领域。器件内部集成体二极管，具备一定的反向电流保护能力，同时其静电放电（ESD）防护能力也经过优化，提升了在生产装配和实际使用中的抗干扰能力。总体而言，这款P沟道MOSFET在性能、尺寸和可靠性之间取得了良好平衡，是中小功率电源开关应用的理想选择。

DMPH6023SK3Q-13广泛应用于便携式电子设备中的电源开关和负载控制，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动电源等，用于控制电池与各功能模块之间的连接与断开，实现节能和安全保护。它也可作为高端开关用于同步降压转换器或线性稳压器的辅助开关元件，提升转换效率。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于充放电路径的通断控制，防止反向电流和过流情况的发生。此外，它适用于各类低电压DC-DC转换电路、USB电源开关、LED驱动电路以及各种需要P沟道MOSFET进行高边开关控制的场合。由于其SOT-23封装的小型化特点，特别适合高密度PCB布局的设计需求，广泛服务于消费类电子、工业控制、通信模块和物联网设备等领域。