时间：2025/8/2 6:08:18
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DMPH4015SSS-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和负载开关等电路中。该器件采用高性能的工艺技术制造，具有低导通电阻、高可靠性和紧凑的封装设计，适合在空间受限的电子设备中使用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-15A
导通电阻（RDS(ON)）：28mΩ @ VGS = -10V，56mΩ @ VGS = -4.5V
功率耗散：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：PowerPAK SO-8
DMPH4015SSS-13具备多项优异的电气和机械特性，使其在多种电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。这对于高负载电流应用尤为重要，如DC-DC转换器和电池供电设备的电源管理系统。
其次，该MOSFET支持高达-40V的漏源电压，使其能够承受较高的电压应力，适用于多种电源控制场景。此外，其栅极电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制能力，同时具备较高的抗电压瞬态能力，增强了器件的稳定性。
DMPH4015SSS-13采用PowerPAK SO-8封装，具有良好的热性能和电流承载能力，适用于表面贴装技术（SMT），从而简化了PCB设计并提高了生产效率。这种封装形式也使其能够更好地应对热管理和空间限制的挑战。
此外，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，展现出卓越的热稳定性和环境适应性。无论是在高温工业环境还是低温消费类电子产品中，DMPH4015SSS-13都能保持稳定运行，确保系统可靠性。
最后，DMPH4015SSS-13还具备良好的短路和过载保护能力，能够有效应对突发的电流冲击，减少因过流或短路导致的损坏风险。
DMPH4015SSS-13适用于多种电源管理和开关控制应用。常见应用场景包括DC-DC转换器、同步整流器、电池保护电路、负载开关以及工业自动化设备中的电源控制系统。由于其低导通电阻和高电流承载能力，它也常用于高效率的电源模块和便携式电子设备中，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他电池供电设备。此外，该器件还可用于电机控制、LED驱动和电源分配系统等应用，提供稳定可靠的开关控制性能。
Si4435BDY-T1-GE3, FDS6680, IR4905PBF, DMPH4015SSS-13
