时间：2025/8/2 7:17:24
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DMP6250SE-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源管理和功率开关应用，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性。DMP6250SE-13 采用节省空间的封装形式，适用于各种需要高效能功率转换的电子设备。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
漏极电流（ID）：120A（最大值）
导通电阻（RDS(on)）：5.2mΩ @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerPAK SO-8 双片封装
功率耗散（PD）：4.2W
DMP6250SE-13 功率 MOSFET 具备多项优异的电气特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）仅为 5.2mΩ，确保在高电流应用中减少功率损耗，提高系统效率。该器件的漏源耐压为 60V，漏极电流可达 120A，适用于高功率密度设计。此外，DMP6250SE-13 采用 PowerPAK SO-8 双片封装技术，这种封装不仅体积小巧，而且具有良好的热传导性能，有助于提升器件的散热能力，从而增强整体系统的稳定性。
DMP6250SE-13 的栅极电压容限为 ±20V，使其在各种驱动条件下均能保持稳定工作。该 MOSFET 的工作温度范围宽达 -55°C 至 175°C，适合在恶劣环境中使用。其高可靠性和优异的热性能使其成为高性能电源转换器、电机驱动器和电池管理系统中的理想选择。
DMP6250SE-13 适用于多种高功率和高效率电子系统，包括但不限于同步降压转换器、升压转换器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统。由于其优异的导通特性和热性能，该 MOSFET 特别适合用于高功率密度电源模块、工业自动化设备以及电动工具等应用场景。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IPB013N06N3 G, NVTFS5C471NLWT
