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DMP6180SK3-13 发布时间 时间:2025/4/28 19:41:42 查看 阅读:2

DMP6180SK3-13 是一款高性能的功率MOSFET芯片,基于先进的DMOS技术制造。该芯片主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其优化的设计使其在导通电阻和开关速度方面表现出色,同时具备出色的热稳定性和可靠性。
  该器件采用小型表面贴装封装,能够有效节省PCB空间,同时提供更高的功率密度和更低的系统成本。由于其低导通电阻特性,DMP6180SK3-13在高频应用中能够显著降低功耗并提高整体效率。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):14A
  导通电阻(Rds(on)):7mΩ
  栅极电荷(Qg):25nC
  开关频率:高达5MHz
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:SOT-229

特性

DMP6180SK3-13具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可减少传导损耗并提升效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用,降低磁性元件体积。
  3. 出色的热性能,有助于在高温环境下保持稳定运行。
  4. 强大的抗雪崩能力,提高了系统的可靠性和鲁棒性。
  5. 小型化封装设计,适合紧凑型电路布局需求。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅焊接兼容。

应用

这款MOSFET适用于广泛的电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS),例如适配器、充电器等。
  2. 各类DC-DC转换器,如降压、升压及反激式拓扑。
  3. 工业控制中的电机驱动与电磁阀驱动。
  4. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
  5. 通信设备中的信号放大和调节功能。
  6. 家用电器内的节能控制模块。

替代型号

DMP6046SK3-13, IRF6620, FDN367P

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DMP6180SK3-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥4.93000剪切带(CT)2,500 : ¥1.90632卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)110 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)17.1 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)984.7 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.7W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252-3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63