DMP6180SK3-13 是一款高性能的功率MOSFET芯片,基于先进的DMOS技术制造。该芯片主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其优化的设计使其在导通电阻和开关速度方面表现出色,同时具备出色的热稳定性和可靠性。
该器件采用小型表面贴装封装,能够有效节省PCB空间,同时提供更高的功率密度和更低的系统成本。由于其低导通电阻特性,DMP6180SK3-13在高频应用中能够显著降低功耗并提高整体效率。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):14A
导通电阻(Rds(on)):7mΩ
栅极电荷(Qg):25nC
开关频率:高达5MHz
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:SOT-229
DMP6180SK3-13具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可减少传导损耗并提升效率。
2. 高速开关能力,支持高频应用,降低磁性元件体积。
3. 出色的热性能,有助于在高温环境下保持稳定运行。
4. 强大的抗雪崩能力,提高了系统的可靠性和鲁棒性。
5. 小型化封装设计,适合紧凑型电路布局需求。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅焊接兼容。
这款MOSFET适用于广泛的电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS),例如适配器、充电器等。
2. 各类DC-DC转换器,如降压、升压及反激式拓扑。
3. 工业控制中的电机驱动与电磁阀驱动。
4. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
5. 通信设备中的信号放大和调节功能。
6. 家用电器内的节能控制模块。
DMP6046SK3-13, IRF6620, FDN367P