时间：2025/6/30 21:05:19
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DMP6111SVT是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Diodes公司生产。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和快速开关性能，适用于多种电源管理和功率转换应用。其封装形式为SOT-23，是一种小型表面贴装器件，适合高密度电路板设计。
该MOSFET具有出色的电气特性和热性能，能够在较宽的工作电压范围内稳定运行。它的典型应用场景包括负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路以及便携式电子设备中的电源管理模块。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻（Rds(on)）：90mΩ（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：3nC
总电容：35pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
DMP6111SVT的主要特性包括低导通电阻，从而减少功率损耗并提高效率；快速的开关速度使其非常适合高频应用；具备优异的雪崩能力和ESD保护功能以增强可靠性；小尺寸SOT-23封装节省了PCB空间；同时具有低栅极电荷和阈值电压，可降低驱动功耗。
此外，它还支持自动拾放操作，便于大规模生产，并符合RoHS环保标准，确保无铅和绿色环保。
DMP6111SVT广泛应用于消费类电子产品中，如智能手机和平板电脑的电源管理系统；用转换器中的开关元件；也可用于USB端口保护、音频放大器以及各种便携式设备中的负载切换功能。
由于其紧凑的设计和高效性能，这款MOSFET特别适合需要节省空间且追求高性能的场合，例如物联网(IoT)设备、可穿戴技术和智能家居产品等。
DMP1040U,
DMP2040U,
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