时间：2025/6/5 17:33:20
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DMP6110SVTQ-7是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用超小型DFN5x6封装。该器件主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景，例如电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及便携式电子设备中的电池保护电路。
由于其低导通电阻和高电流能力，这款MOSFET适合在高频开关应用中提供优异的效率表现。同时，它具有较低的栅极电荷，从而降低了驱动损耗并提高了系统的整体性能。
型号：DMP6110SVTQ-7
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：DFN5x6
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：4.2mΩ @ Vgs=10V
Id（持续漏极电流）：38A
Vgs（栅源电压）：±20V
栅极电荷：13nC
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)仅为4.2mΩ），有助于降低导通损耗并提高系统效率。
2. 小型化设计（DFN5x6封装），非常适合空间受限的应用环境。
3. 高电流承载能力（最大漏极电流为38A），能够满足高功率需求。
4. 较低的栅极电荷，减少驱动功耗并支持高频操作。
5. 宽工作温度范围（-55℃至150℃），确保在各种环境下的可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
1. 移动设备中的电源管理单元（PMU）。
2. 负载开关，在不同电路模块之间进行电源切换。
3. DC-DC转换器中的同步整流开关。
4. 电池保护电路，用于防止过充或过放。
5. 消费类电子产品中的高效能开关解决方案。
6. 工业设备中的功率控制模块。
DMP6010NLTQ-7, DMN2990UFDE, BSC018N06NS3
