时间：2025/8/2 6:23:51
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DMP6110SSDQ-13 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件主要用于需要高效能和高可靠性的应用场合，例如电源管理、DC-DC 转换器以及负载开关等。该 MOSFET 采用小型化的封装形式，有助于在空间受限的设计中实现高功率密度。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
最大连续漏极电流（Id）：5.2A（在 Vgs = 10V 时）
导通电阻（Rds(on)）：80mΩ（最大值，在 Vgs = 10V 时）
功率耗散：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
DMP6110SSDQ-13 的主要特性包括低导通电阻、快速开关性能和高可靠性。其低 Rds(on) 特性使得在高电流应用中可以实现较低的功率损耗，从而提高整体效率。此外，该器件的快速开关能力有助于减少开关损耗，提高电路的响应速度。
另一个显著特性是其高热稳定性。采用先进的硅工艺和封装技术，DMP6110SSDQ-13 能够在高温环境下稳定运行，适用于对散热要求较高的设计。此外，该器件的封装设计也确保了其在高频应用中的稳定性，适用于现代高效率电源系统。
由于其 TSOP 封装形式，DMP6110SSDQ-13 在 PCB 布局中占用的空间较小，适合用于需要紧凑设计的便携式设备和嵌入式系统。
DMP6110SSDQ-13 常用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路中。此外，它也适用于电池供电设备中的功率管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子产品。在工业自动化系统和汽车电子应用中，该器件也可用于控制高功率负载的开关操作。
Si2302DS、FDN304P、DMG2008LVT-7
