时间：2025/4/28 16:35:28
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DMP610DL 是一款 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于功率转换、负载开关和电机驱动等场景。该器件采用 DPAK 封装，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。
该 MOSFET 的设计使其在高频开关应用中表现出色，同时具备良好的热性能和可靠性，适用于需要高效能和紧凑设计的电子设备。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极阈值电压：2V 至 4V
最大功耗：135W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
DMP610DL 提供了低导通电阻以减少传导损耗，并且其封装形式有助于散热管理。此外，它具有快速开关速度和低栅极电荷，从而提升了效率并降低了开关损耗。
由于其高雪崩能量能力和稳健的设计，该器件能够在恶劣环境下可靠运行。其出色的电气性能和热性能使得 DMP610DL 成为众多功率应用的理想选择。
DMP610DL 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池保护以及各种工业和消费类电子产品的功率管理模块。
它特别适合需要高效率和高功率密度的设计，例如笔记本电脑适配器、汽车电子系统和家用电器中的电源部分。
DMP6006L, IRF540N, FDP15N65S
