类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：500pF（@ VDS = -10V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@ VDS = -10V）
　　输出电容（Coss）：250pF（@ VDS = -10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：20ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23 (SC-59)

DMP58D0LFB-7采用了先进的沟槽式MOSFET制造工艺，这种结构显著提升了单位面积下的载流能力，同时降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了在大电流条件下的功率损耗。该器件的关键优势之一是其低阈值电压特性，使其能够在低至-1V左右的栅源电压下开始导通，这使得它非常适合用于由3.3V或更低逻辑电平直接驱动的电路中，无需额外的电平转换器或驱动芯片，简化了系统设计并节省了成本。此外，由于其P沟道特性，在高端开关应用中可以作为理想的高边开关使用，尤其是在电池供电设备中实现负载开关或电源路径管理时表现出色。
　　该器件的封装形式为SOT-23（SC-59），这是一种非常紧凑的小型表面贴装封装，占地面积小，适合高密度PCB布局。尽管体积小巧，但其引脚设计仍能有效传导热量，并可通过PCB上的铜箔进行散热，确保在中等功率应用中的热稳定性。DMP58D0LFB-7还具备良好的雪崩能量耐受能力和抗静电能力，提高了在瞬态过压和恶劣电磁环境下的运行可靠性。其输入电容和输出电容均经过优化，有助于减少高频开关过程中的噪声干扰和振铃现象，提升整体系统的EMI性能。
　　在动态性能方面，DMP58D0LFB-7具有较快的开关速度，开启延迟时间仅为8ns，关断延迟时间为20ns，配合较低的栅极电荷（典型值Qg约为5nC @ VGS=-4.5V），使其在高频DC-DC转换器、同步整流等应用中表现优异。此外，该器件的跨导（gm）较高，增强了对栅极信号的响应能力，进一步改善了开关精度和控制线性度。综合来看，DMP58D0LFB-7凭借其低RDS(on)、快速开关、小封装和低驱动电压需求，成为许多现代电源管理方案中的优选P沟道MOSFET。

DMP58D0LFB-7广泛应用于多种低电压、高效率的电源管理系统中。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机中，常被用作电池供电路径的高边开关，用于控制电源的通断以实现节能待机或系统复位功能。在这些应用中，其低导通电阻可最大限度地减少电压降和发热，延长电池续航时间。此外，该器件也适用于各类负载开关电路，用于隔离不同的电源域或外设模块，防止启动冲击电流影响主电源稳定性。
　　在DC-DC转换器拓扑中，DMP58D0LFB-7可用于非同步降压电路中的续流二极管替代方案，即作为同步整流器使用，从而提高整体转换效率。虽然N沟道MOSFET在此类应用中更为常见，但在某些低端或空间受限的设计中，P沟道器件因其驱动简单而更具优势。该MOSFET也可用于H桥驱动电路中的上桥臂开关，控制直流电机的正反转，尤其适用于微型电机控制系统。
　　在工业和消费类电子产品中，DMP58D0LFB-7还常用于电源多路选择器（Power MUX），例如在USB供电和电池供电之间自动切换的电路中，实现无缝电源切换。其快速响应能力和稳定的电气参数保证了切换过程中不会出现明显的电压跌落或电流尖峰。此外，该器件还可用于LED背光驱动、热插拔控制器、电压反接保护电路以及各种模拟开关应用场景。得益于其小型封装和高可靠性，DMP58D0LFB-7在汽车电子、智能家居设备和物联网终端设备中也有广泛应用前景。

DMG2302UK-7
　　AO3415
　　FDC630P