DMP4065SQ 时间：2025/7/9 23:32:14 阅读：5

DMP4065SQ是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，由Diodes Incorporated制造。该器件采用超小型DFN2020-8L封装，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，非常适合用于便携式设备中的负载开关、同步整流和DC-DC转换等应用。其工作电压范围为-0.3V至10V，最大漏源电压为10V，广泛应用于消费电子、通信和工业领域。

参数

最大漏源电压(Vds)：10V
　　最大栅源电压(Vgs)：±8V
　　连续漏极电流(Id)：6.9A
　　导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ @ Vgs=2.5V
　　栅极电荷(Qg)：11nC
　　总功耗(Ptot)：270mW
　　结温范围(Tj)：-55°C至150°C

特性

DMP4065SQ采用DFN2020-82mm x 2mm，有助于节省电路板空间。该器件具备极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗并提高系统效率。
　　此外，它还具有快速开关能力，能够满足高频应用的需求。其低栅极电荷(Qg)特性进一步优化了开关性能，降低了开关损耗。
　　由于采用了无引线表面贴装技术，DMP4065SQ具有良好的热性能和电气性能，并且符合RoHS标准，环保且可靠。
　　在设计中，这款MOSFET可以实现高效率的功率传输，同时保持较低的温度上升，非常适合于电池供电设备和其他对能效敏感的应用场景。

应用

DMP4065SQ适用于多种应用场合，包括但不限于以下领域：
　　1. 消费类电子产品中的负载开关控制。
　　2. 同步整流电路中的功率MOSFET。
　　3. 移动设备及便携式设备中的电源管理。
　　4. DC-DC转换器中的开关元件。
　　5. LED驱动器中的开关或调节组件。
　　6. 工业控制中的信号切换和功率传递。
　　其小尺寸和高效能使其成为现代电子设计的理想选择。