DMP4065SQ是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,由Diodes Incorporated制造。该器件采用超小型DFN2020-8L封装,具有极低的导通电阻和出色的开关性能,非常适合用于便携式设备中的负载开关、同步整流和DC-DC转换等应用。其工作电压范围为-0.3V至10V,最大漏源电压为10V,广泛应用于消费电子、通信和工业领域。
最大漏源电压(Vds):10V
最大栅源电压(Vgs):±8V
连续漏极电流(Id):6.9A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ @ Vgs=4.5V
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ @ Vgs=2.5V
栅极电荷(Qg):11nC
总功耗(Ptot):270mW
结温范围(Tj):-55°C至150°C
DMP4065SQ采用DFN2020-82mm x 2mm,有助于节省电路板空间。该器件具备极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗并提高系统效率。
此外,它还具有快速开关能力,能够满足高频应用的需求。其低栅极电荷(Qg)特性进一步优化了开关性能,降低了开关损耗。
由于采用了无引线表面贴装技术,DMP4065SQ具有良好的热性能和电气性能,并且符合RoHS标准,环保且可靠。
在设计中,这款MOSFET可以实现高效率的功率传输,同时保持较低的温度上升,非常适合于电池供电设备和其他对能效敏感的应用场景。
DMP4065SQ适用于多种应用场合,包括但不限于以下领域:
1. 消费类电子产品中的负载开关控制。
2. 同步整流电路中的功率MOSFET。
3. 移动设备及便携式设备中的电源管理。
4. DC-DC转换器中的开关元件。
5. LED驱动器中的开关或调节组件。
6. 工业控制中的信号切换和功率传递。
其小尺寸和高效能使其成为现代电子设计的理想选择。
DMP4065S-Q, DMP4065SGQ