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DMP4065SQ-7 发布时间 时间:2025/3/19 15:33:03 查看 阅读:16

DMP4065SQ-7 是一款来自 Diodes Incorporated 的 P 沟道功率 MOSFET。这款晶体管采用 SO-8 封装,设计用于高效率开关应用,特别是在需要低导通电阻和快速开关特性的场合。该器件具有出色的热性能和电气特性,适用于各种电源管理和功率转换应用。
  这款 MOSFET 主要用于需要高电流处理能力和高效能表现的场景,例如负载开关、DC/DC 转换器、电池保护电路等。由于其卓越的性能,DMP4065SQ-7 在消费电子、工业控制以及通信设备等领域得到了广泛应用。

参数

型号:DMP4065SQ-7
  类型:P沟道增强型MOSFET
  封装:SO-8
  最大漏源电压Vds:-30V
  最大栅源电压Vgs:±12V
  连续漏极电流Ids:-6.8A(Tc=25℃)/-3.5A(Tc=70℃)
  导通电阻Rds(on):13mΩ(典型值,在Vgs=-4.5V时)
  栅极电荷Qg:19nC(典型值)
  输入电容Ciss:490pF(典型值)
  总功耗Ptot:1.1W(在θja=62.5℃/W时)

特性

该 MOSFET 具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。此外,它还具备快速的开关速度,这对于降低开关损耗至关重要。同时,DMP4065SQ-7 还拥有良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
  其低栅极电荷特性使得驱动更为容易,可以与微控制器或专用驱动芯片配合使用,以实现高效的功率管理。此外,SO-8 封装形式不仅提供了可靠的机械结构,还便于散热设计,适合紧凑型产品的开发需求。

应用

DMP4065SQ-7 广泛应用于多种领域,如便携式电子产品中的电源管理模块、笔记本电脑及平板电脑的充电接口保护、移动电源的过流保护电路、智能手表和其他穿戴式设备的电源切换部分等。
  在工业自动化方面,它可以作为电机驱动器的一部分,或者用于构建稳健的直流无刷电机控制系统。此外,在汽车电子中,该元件也可用作车载逆变器、LED 驱动器的关键组件。总之,任何涉及到电力调节、转换或保护的应用场景都可能见到 DMP4065SQ-7 的身影。

替代型号

1. Si7456DP - 同样是来自 Vishay 的 P 沟道 MOSFET,具有类似的电气规格,并且同样采用 SO-8 封装,可以作为直接替换选项。
  2. FDS6680 - Fairchild Semiconductor 生产的一款高性能 P 沟道 MOSFET,虽然它的最大漏极电流稍低,但在某些应用中仍可胜任。
  3. AO3401A - Alpha & Omega Semiconductor 提供的产品,具有更低的导通电阻,如果对效率有更高要求,可以选择这款器件进行评估。

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DMP4065SQ-7参数

  • 现有数量20,785现货
  • 价格1 : ¥4.37000剪切带(CT)3,000 : ¥1.54098卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)80 毫欧 @ 4.2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)587 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)720mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3