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DMP4050SSS-13 发布时间 时间:2025/5/13 10:47:17 查看 阅读:7

DMP4050SSS-13是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Diodes Incorporated生产。该器件采用小尺寸的DFN封装,适合于需要高效能和高密度设计的应用场景。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,非常适合用于负载开关、同步整流、DC-DC转换器以及其他功率管理应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.8A
  导通电阻(Rds(on)):6.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:7nC(典型值)
  开关时间:ton=9ns,toff=15ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关特性,适用于高频操作环境。
  3. 小型DFN封装,节省PCB空间并具备良好的散热性能。
  4. 高雪崩能力和高可靠性,确保在恶劣环境下稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
  2. 同步整流电路,提升效率。
  3. DC-DC转换器中的开关元件。
  4. 电池保护电路。
  5. 消费类电子产品中的功率控制和切换功能。

替代型号

DMN2990UFQ-13, BSS138, PSMN022-30PL

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DMP4050SSS-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13.9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds674pF @ 20V
  • 功率 - 最大1.56W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMP4050SSS-13TR