时间：2025/8/2 5:42:18
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DMP4050SSDQ-13是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和负载开关等应用。该器件采用小型DFN2020封装（2x2mm），适用于空间受限的便携式设备和高密度电路设计。其主要特点是低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和快速开关性能。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-4.8A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：30mΩ（典型值，@VGS=-4.5V）
导通电阻温度系数：正温度系数
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DFN2020（2x2mm）
安装类型：表面贴装（SMD）
DMP4050SSDQ-13具有极低的导通电阻，使得在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，在-1.8V至-12V之间均可正常工作，便于与多种控制电路兼容。其采用的DFN封装具有良好的热性能和电气性能，同时减少了PCB占用空间，适合用于高密度布局。
DMP4050SSDQ-13还具备良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，适用于频繁开关操作的场合。该MOSFET的栅极设计具备一定的静电防护能力，但在实际使用中仍需注意ESD保护措施。此外，该器件符合RoHS环保标准，无卤素，适用于对环保要求较高的电子产品。
DMP4050SSDQ-13广泛应用于便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。它也常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池保护电路中。由于其高效率和小尺寸特性，该器件特别适合用于对空间和功耗有严格要求的设计。此外，它还可用于电源分配系统、电源多路复用器以及电机驱动电路等工业控制应用。
Si4435BDY-T1-GE3, BSS84LT1G, DMG2999UFG-13, NTR4140P
