时间：2025/12/26 11:40:13
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DMP4025SFGQ-7是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟道技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件主要设计用于负载开关、电源管理以及DC-DC转换器等应用场合。其封装形式为SOT-23（也称为SC-59），是一种小型表面贴装封装，适合在空间受限的印刷电路板上使用。DMP4025SFGQ-7在1.8V至12V的栅极驱动电压范围内均能稳定工作，因此兼容多种逻辑电平控制信号，适用于便携式设备中的电池供电系统。
该MOSFET的漏源电压（VDS）额定值为-25V，最大连续漏极电流可达-1.7A，在低电压环境下可实现高效的功率切换与控制。由于其具备良好的热稳定性和可靠性，DMP4025SFGQ-7被广泛应用于智能手机、平板电脑、无线模块及其他消费类电子产品中。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品的环保要求。
型号：DMP4025SFGQ-7
类型：P沟道MOSFET
封装：SOT-23 (SC-59)
制造商：Diodes Incorporated
最大漏源电压(VDS)：-25V
最大栅源电压(VGS)：±12V
最大连续漏极电流(ID)：-1.7A
最大脉冲漏极电流(IDM)：-4.2A
导通电阻(RDS(on))：55mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻(RDS(on))：65mΩ @ VGS = -2.5V
导通电阻(RDS(on))：95mΩ @ VGS = -1.8V
栅极阈值电压(Vth)：-0.8V ~ -1.4V
输入电容(Ciss)：230pF @ VDS=10V
开启时间(Td(on))：4ns
关断时间(Td(off))：14ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
功耗(PD)：300mW
DMP4025SFGQ-7采用高性能沟道工艺制造，具有极低的导通电阻，这使得它在作为开关元件时能够显著降低导通损耗，提高整体系统的能效。特别是在电池供电设备中，这种低RDS(on)特性有助于延长续航时间。该器件在VGS=-4.5V时RDS(on)仅为55mΩ，在更常见的低电压控制场景如VGS=-2.5V或-1.8V下，依然保持65mΩ和95mΩ的优异表现，确保即使在低压逻辑驱动条件下也能高效运行。
该MOSFET具备快速的开关响应能力，开启时间仅为4ns，关断时间为14ns，配合较小的输入电容（Ciss=230pF），使其非常适合高频开关应用，例如同步整流、开关稳压器和DC-DC变换器拓扑结构中。此外，其栅极阈值电压范围合理（-0.8V至-1.4V），保证了在不同温度和工艺偏差下的稳定触发，避免误开通或关断失败。
SOT-23小型封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，结合300mW的功耗能力，可在紧凑布局中可靠工作。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛环境下的长期运行需求。同时，DMP4025SFGQ-7经过严格的质量管控，具备高可靠性，支持工业级和消费级应用场景。内置体二极管提供了反向电流路径保护，在感性负载切换过程中起到重要作用，增强了系统的鲁棒性。
DMP4025SFGQ-7常用于各类便携式电子设备中的电源开关控制，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中实现电池与负载之间的连接管理。它可以作为高边或低边开关使用，控制电源通断以节省能耗。在DC-DC降压或升压转换电路中，该器件可用于同步整流结构中的上管或下管，提升转换效率并减少发热。
此外，该MOSFET适用于各种负载开关电路，如为传感器、显示屏、无线通信模块等外设提供独立供电控制，防止不必要的待机功耗。在热插拔电路设计中，DMP4025SFGQ-7也可用于限制浪涌电流，保护主电源系统不受冲击影响。由于其良好的电气特性和小尺寸封装，它也被广泛用于主板上的电压域隔离、电源多路复用以及LDO后级开关等场景。
在工业控制和物联网终端设备中，该器件同样表现出色，支持远程唤醒、节能模式切换等功能。其对1.8V、2.5V、3.3V等多种逻辑电平的良好兼容性，使其能够直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需额外电平转换电路，简化了系统设计复杂度。总体而言，DMP4025SFGQ-7是一款高度集成、高效率且易于使用的功率开关解决方案。
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"DMG2302U",
"AO3415",
"FDC630P",
"Si2301DS",
"RTQ2004-7"
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