类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(Vdss)：-20V
　　栅源电压(Vgs)：+8V, -8V
　　连续漏极电流(Id)：-2.5A
　　脉冲漏极电流(Id_peak)：-5A
　　导通电阻(Rds(on))：45mΩ @ Vgs = -4.5V
　　导通电阻(Rds(on))：60mΩ @ Vgs = -2.5V
　　阈值电压(Vth)：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容(Ciss)：320pF @ Vds = 10V
　　开关时间(上升/下降)：15ns / 10ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SuperSO-6 (SOT-363)
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：1
　　功率耗散(Pd)：1W

DMP4025SFG-13采用先进的沟槽式MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，使其在低电压、低功耗应用场景中表现出色。其Rds(on)在Vgs = -4.5V时仅为45mΩ，在同类P沟道器件中处于领先水平，有助于减少传导损耗，提高电源效率。由于其支持逻辑电平驱动，可在-2.5V至-4.5V的栅极电压下充分导通，因此可直接由微控制器或低压逻辑电路驱动，无需额外的电平转换电路，极大地简化了设计复杂度。
　　该器件具有出色的热稳定性，结温可达+150°C，能够在高温环境下可靠运行。同时，其较小的输入电容（Ciss = 320pF）和快速的开关时间（tr约15ns，tf约10ns）确保了在高频开关应用中的响应速度和效率，适用于DC-DC转换器、同步整流和负载开关等对动态响应要求较高的场合。
　　SuperSO-6封装不仅体积小巧（典型尺寸约为1.6mm x 1.6mm），还具备良好的散热性能，适合高密度PCB布局。此外，器件内部结构经过优化，具有较强的抗静电能力（HBM ESD Rating: ±2000V），提升了生产过程中的可靠性。所有材料均符合RoHS指令，并满足无卤素要求，符合现代电子产品环保趋势。DMP4025SFG-13还具备较低的栅极电荷（Qg typ 5nC），进一步降低了驱动损耗，有利于延长电池寿命。综合来看，这款MOSFET在性能、尺寸、功耗和可靠性方面达到了良好平衡，是许多便携式电子产品的理想选择。

DMP4025SFG-13广泛应用于各类低电压、低功耗的便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、蓝牙耳机和移动电源等。其主要用途包括电源路径管理、电池开关控制、负载开关、反向电流阻断以及高低边开关电路。在DC-DC降压或升压转换器中，它常作为上管开关使用，配合N沟道MOSFET构成同步整流结构，以提高转换效率并减少发热。此外，该器件也适用于热插拔电路设计，能够在系统上电或模块更换时平稳控制电流上升，防止浪涌电流损坏后级电路。
　　在单片机I/O扩展或外设供电控制中，DMP4025SFG-13可用于切断不用模块的电源，实现节能待机模式，显著延长电池续航时间。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接连接3.3V或2.5V的GPIO引脚进行通断控制，无需额外驱动芯片。在传感器模块、Wi-Fi/蓝牙模组、显示屏背光电源控制等场景中也有广泛应用。
　　工业手持设备、医疗监测仪器和消费类物联网终端同样受益于该器件的小尺寸和高效能特性。其高集成度和表面贴装封装便于自动化生产，适合大规模SMT贴片工艺。总之，凡是在-20V以下工作电压范围内需要高效、紧凑型P沟道开关解决方案的应用，DMP4025SFG-13都是一个极具竞争力的选择。

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　　 "DMG2302UK-7",
　　 "FDMC8202",
　　 "AOZ4490APL",
　　 "SI2302DS",
　　 "RTQ2010BGSP",
　　 "TPC2013"
　　]