类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-1.8A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.2A
　　导通电阻RDS(on)：65mΩ @ VGS = -4.5V；85mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容（Ciss）：93pF @ VDS = -10V
　　反向传输电容（Crss）：20pF @ VDS = -10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装/外壳：SOT-23 (SC-70)
　　安装类型：表面贴装
　　功率耗散（PD）：350mW
　　通道数：1
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：14ns

DMP4025LSS-13-F具备出色的电气性能和热稳定性，其低导通电阻RDS(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。在VGS = -4.5V时，RDS(on)典型值仅为65mΩ，而在更低的栅极驱动电压如-2.5V下仍能保持85mΩ的低阻特性，这使得它能够在3.3V甚至1.8V逻辑控制系统中可靠工作，无需额外的电平转换电路。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg），典型值约为3.5nC，有助于减少开关过程中的驱动能量消耗，提升高频开关应用中的响应速度和能效表现。同时，其输入电容和反向传输电容较小，有助于抑制噪声耦合，提高系统的抗干扰能力，特别适用于对EMI敏感的应用场景。
　　由于采用先进的沟槽型MOSFET制造工艺，DMP4025LSS-13-F在保证高性能的同时实现了优异的热性能，能够在有限的空间内有效散热。其最大结温可达150°C，支持宽范围的工作环境温度，适用于工业级和消费级多种应用场景。
　　此外，该器件具备良好的雪崩能量耐受能力和静电放电（ESD）保护性能，增强了在实际应用中的可靠性与耐用性。内置体二极管提供了反向电流路径，在感性负载切换过程中起到保护作用。整体而言，DMP4025LSS-13-F是一款集高性能、小尺寸、低功耗于一体的P沟道MOSFET，非常适合用于电源管理、电池切换、负载开关、LED驱动等场合。

DMP4025LSS-13-F广泛应用于需要高效、紧凑电源管理解决方案的便携式电子设备中。典型应用包括智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中的电源开关与电池管理模块，用于控制不同功能模块的供电通断以实现节能目的。
　　在物联网（IoT）节点和无线传感器网络中，该器件可用于微控制器与外围设备之间的电源隔离，延长设备待机时间。其低静态电流和快速开关特性使其成为间歇性工作的低功耗系统理想选择。
　　此外，DMP4025LSS-13-F也常用于USB端口的过流保护和电源开关电路中，配合限流IC实现安全的热插拔功能。在LED照明应用中，它可以作为简单的恒流调节开关，用于控制小型指示灯或背光单元的开启与关闭。
　　其他应用还包括音频放大器的静音控制、DC-DC转换器中的同步整流辅助开关、电机驱动电路中的低端开关元件，以及各种需要逻辑电平直接驱动的P沟道开关场景。得益于其SOT-23小型封装，该器件特别适合高密度PCB布局，满足现代电子产品对小型化和轻薄化的设计需求。

DMG2302UK-7
　　FDC630P
　　AO3401A
　　ZXMP6003F
　　SI2301DS