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DMP4010SK3Q-13 发布时间 时间:2025/7/2 16:21:17 查看 阅读:8

DMP4010SK3Q-13 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型化 SOT23 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于消费电子、计算机及外设、通信设备等多种应用领域。
  这款 MOSFET 在功率管理电路中表现优异,可广泛用于负载开关、同步整流、DC-DC 转换器以及电池保护等场景。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻(典型值):55mΩ
  栅极电荷:4nC
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:SOT23

特性

DMP4010SK3Q-13 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 高速开关性能,能够适应高频应用需求。
  3. 小尺寸封装,适合对空间要求较高的设计环境。
  4. 较宽的工作温度范围,确保在极端条件下仍能稳定运行。
  5. 可靠性高,满足多种工业标准的要求。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代化电子产品中。

应用

DMP4010SK3Q-13 常用于以下应用场景:
  1. 各类电源管理模块,如 DC-DC 转换器、降压升压转换器。
  2. 负载开关,在需要快速开启或关闭特定电路时使用。
  3. 同步整流电路,提升整流效率。
  4. 电池保护系统,防止过流或短路现象。
  5. 手机、平板电脑及其他便携式设备中的电源管理部分。
  6. 计算机及其周边设备的电源解决方案。

替代型号

DMN2019UFG-13, BSS138, FDN340P

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DMP4010SK3Q-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥7.79000剪切带(CT)2,500 : ¥3.29787卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A(Ta),50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9.9 毫欧 @ 9.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)91 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4234 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.7W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252-3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63