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DMP4010SK3-13 发布时间 时间:2025/6/25 21:21:34 查看 阅读:5

DMP4010SK3-13是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电路中。该器件采用SOT-23封装形式,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性。其设计旨在满足高效能功率管理需求,适用于各种消费电子、工业控制及通信设备。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:3.5nC
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:SOT-23

特性

DMP4010SK3-13具备较低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。同时,其小尺寸SOT-23封装使其非常适合空间受限的应用场景。此外,该器件还具有快速开关能力,能够有效降低开关损耗。
  其高耐压能力(60V)确保在较高电压条件下可靠运行,而较宽的工作温度范围(-55℃至+150℃)则支持其在极端环境下的稳定表现。
  另外,由于采用了先进的制造工艺,DMP4010SK3-13具备优秀的抗静电能力和长期可靠性,适合大规模生产应用。

应用

DMP4010SK3-13主要应用于需要高效功率转换和小型化设计的场合,如:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电池管理与保护
  - 负载开关
  - 便携式电子设备中的功率管理
  - 电机驱动与控制
  由于其良好的性能指标和紧凑封装,该器件特别适合于手机充电器、平板电脑适配器以及物联网终端等产品。

替代型号

DMN2010USN-13
  DMP4019SK3-13
  FDP17N06

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DMP4010SK3-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥3.75951卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9.9 毫欧 @ 9.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)91 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4234 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.3W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252,(D-Pak)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63