DMP32D4SW是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,主要应用于开关和功率管理领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合在高频应用中使用。其封装形式为SOT-23,这种小型化封装使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
持续漏电流:4.9A
导通电阻:75mΩ
功耗:1.2W
工作温度范围:-55℃至150℃
DMP32D4SW具备低导通电阻和低电容的特点,这使得它在开关应用中表现出优异的效率和较少的功率损耗。
此外,它的栅极阈值电压设计合理,能够在较低驱动电压下开启,适应现代电子设备对低功耗的需求。
SOT-23封装不仅体积小,还具有良好的散热性能,能够满足各种消费类电子产品和工业控制的应用需求。
该器件支持快速开关,可有效减少开关损耗,并且在高频条件下表现稳定。
DMP32D4SW广泛应用于多种领域,包括但不限于便携式电子设备中的负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路、电机驱动以及LED驱动电路等。
由于其小型化封装和高效性能,这款MOSFET特别适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器以及其他需要高密度集成的电子设备中。
DMN2997UZ, AO3400, FDN3276