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DMP32D4SFB-7B 发布时间 时间:2025/12/26 10:10:59 查看 阅读:12

DMP32D4SFB-7B是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻和高开关性能。该器件专为高效率电源管理应用设计,适用于便携式设备、电池供电系统以及需要紧凑封装和高效能的负载开关或电源开关场景。其小型化封装(如DFN2020)使其非常适合空间受限的应用场合,同时具备良好的热性能和可靠性。该MOSFET在栅极电压较低的情况下仍能实现优异的导通特性,支持逻辑电平驱动,适合与微控制器或其他数字控制电路直接接口。
  DMP32D4SFB-7B的额定漏源电压为-20V,最大连续漏极电流可达-2.8A(具体值取决于测试条件和PCB布局),并且具有低至-55mΩ左右的典型导通电阻(RDS(on)),这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了相关可靠性认证,适用于工业、消费类电子及通信设备中的电源管理模块。
  该产品通常以卷带形式供应,便于自动化贴片生产流程,是现代小型化电子产品中理想的功率开关解决方案之一。由于其出色的电气特性和物理尺寸优势,DMP32D4SFB-7B被广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对能效和空间利用要求较高的应用场景。

参数

型号:DMP32D4SFB-7B
  类型:P沟道MOSFET
  封装:DFN2020
  制造商:Diodes Incorporated
  漏源电压(VDS):-20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):-2.8A(TA=25°C)
  脉冲漏极电流(IDM):-8.4A
  导通电阻(RDS(on)):55mΩ(@ VGS = -4.5V);65mΩ(@ VGS = -2.5V)
  阈值电压(VGS(th)):-0.8V ~ -1.4V
  输入电容(Ciss):230pF(@ VDS=10V)
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  热阻(JA):190°C/W(典型值)
  安装方式:表面贴装

特性

DMP32D4SFB-7B采用先进的沟槽型MOSFET工艺,具备卓越的电学性能和稳定性,特别适合在低电压、小电流的电源管理系统中作为开关元件使用。其核心优势之一在于极低的导通电阻,在VGS=-4.5V时,RDS(on)仅为55mΩ,这意味着在实际应用中能够显著降低导通状态下的功率损耗,从而提升系统的整体能效,延长电池寿命,尤其适用于移动设备等对功耗敏感的应用环境。
  该器件还表现出良好的栅极驱动兼容性,能够在-2.5V至-4.5V的栅源电压范围内有效工作,因此可以与常见的3.3V或1.8V逻辑电平直接配合使用,无需额外的电平转换电路,简化了设计复杂度并节省了外围元件成本。此外,其快速的开关速度得益于较低的输入电容(Ciss=230pF)和输出电容(Coss=180pF),使得在高频开关操作中也能保持较高的响应能力,减少了开关过程中的能量损失。
  从热管理角度看,DMP32D4SFB-7B采用了DFN2020小型无引脚封装,底部带有散热焊盘,可通过PCB上的热过孔将热量有效传导至内层或底层地平面,实现高效的热耗散。这种设计不仅提升了器件的持续工作能力,也增强了长期运行的可靠性。同时,该封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm×0.75mm,极大节省了PCB空间,满足现代电子产品向轻薄化发展的需求。
  在可靠性方面,该MOSFET经过严格的质量控制流程,具备高抗浪涌能力和稳定的温度特性。其工作结温范围可达+150°C,可在严苛环境下稳定运行。内置的体二极管提供了反向电流保护功能,在感性负载切换时起到续流作用,避免电压尖峰损坏其他组件。综合来看,DMP32D4SFB-7B凭借其高性能、小尺寸和高集成度,成为众多高端便携式电子设备中不可或缺的关键元器件。

应用

DMP32D4SFB-7B广泛应用于各类需要高效电源控制的小型化电子设备中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中的负载开关或电源路径管理模块。在这些设备中,它常被用于控制不同功能模块(如显示屏、摄像头、传感器等)的供电通断,以实现动态电源管理和节能目的。
  此外,该器件也适用于电池供电系统,例如蓝牙耳机、移动电源、IoT终端节点等,用作电池反接保护、充电回路控制或放电路径开关。由于其P沟道结构,易于实现高边开关配置,能够在不改变主电源拓扑的前提下方便地进行电源切断操作,防止待机状态下产生不必要的漏电流,从而有效延长电池续航时间。
  在工业与通信领域,DMP32D4SFB-7B可用于DC-DC转换器的同步整流电路或低端开关,尤其是在非隔离式Buck变换器中作为辅助开关使用。它也可用于各类主板上的电压域切换、热插拔控制电路以及FPGA或MCU的电源排序管理中,确保各供电轨按正确顺序上电与断电,避免潜在的闩锁效应或数据损坏问题。
  由于其符合RoHS标准且具备良好的ESD防护能力(HBM模型下可达2kV以上),该器件适用于对环保和可靠性有较高要求的医疗设备、汽车电子(非动力系统)以及家用电器控制板等领域。总之,凡是对空间、效率和可靠性有综合要求的低压直流开关应用,DMP32D4SFB-7B都是一个理想的选择。

替代型号

DMG2302UK-7
  DMP2004SFG-7
  AOA4123

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DMP32D4SFB-7B参数

  • 现有数量10,048现货
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)10,000 : ¥0.51019卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)400mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.4 欧姆 @ 200mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1.3 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)51 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装X1-DFN1006-3
  • 封装/外壳3-UFDFN