时间：2025/8/2 5:40:44
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DMP31D7LW-7是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源管理应用，例如负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中的功率控制。该MOSFET采用先进的工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和高可靠性。DMP31D7LW-7采用SOT26（SOT-26）封装，适用于便携式电子产品和空间受限的设计。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-3.1A
导通电阻（RDS(on)）：125mΩ @ VGS = -10V；180mΩ @ VGS = -4.5V
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT26 (SOT-26)
DMP31D7LW-7具备多项优异特性，适用于多种电源管理场景。首先，其P沟道结构使其在高边开关应用中表现出色，能够在不使用额外驱动电路的情况下实现高效控制。其次，该MOSFET的低导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体系统效率，尤其是在高负载条件下。该器件的栅极驱动电压范围较宽（支持-10V至-4.5V），使其适用于多种控制器和逻辑电平驱动环境。此外，SOT26封装提供了较小的PCB占用空间，非常适合用于便携式电子设备和紧凑型设计。
DMP31D7LW-7还具备良好的热稳定性和高可靠性，能够在较高的工作温度下稳定运行。其额定功率耗散为300mW，适用于低功耗、中等电流负载应用。该器件的漏极-源极击穿电压（VDS）为-30V，能够承受较高的瞬态电压，适用于电池供电系统和DC-DC转换器等应用场景。此外，其栅极氧化层设计支持±20V的栅源电压，有效防止因过电压导致的损坏，提高了器件的耐用性。
DMP31D7LW-7广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。常见的应用包括电池供电设备中的负载开关、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机控制电路、电源管理系统（如笔记本电脑、平板电脑和智能手机）以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该MOSFET也适用于需要高可靠性和高效能的小型电源适配器、USB电源管理电路以及电池充电管理系统。
Si3442DV-T1-GE3, BSS84LT1G, DMG3415V-7, AO3401A
