时间：2025/4/29 12:32:56
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DMP31D1UVT 是一款 N 沣道通态 MOSFET，采用 DFN2020-6 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于便携式设备、消费类电子产品的负载开关、同步整流和 DC-DC 转换器等应用。
由于其小尺寸封装和高效的性能，DMP31D1UVT 成为需要高密度设计的电路的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.7A
导通电阻（典型值）：50mΩ
栅极电荷：3.4nC
总电容：90pF
工作温度范围：-55℃ to +150℃
封装类型：DFN2020-6
DMP31D1UVT 具有非常低的导通电阻，可以有效降低功率损耗，提高系统效率。同时，它还具备快速开关能力，减少了开关过程中的能量损失。此外，其小型化封装有助于减少 PCB 空间占用，使设计更加紧凑。
器件还拥有良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。这些特点使得 DMP31D1UVT 在便携式电子产品中表现出色，如手机充电器、平板电脑电源管理以及 USB 供电设备等。
另外，该 MOSFET 的低栅极电荷能够简化驱动电路设计，适合高频应用场景。
DMP31D1UVT 广泛应用于各种低功耗、高效能需求的场景，例如：
- 负载开关
- 同步整流
- DC-DC 转换器
- 电池管理系统
- 消费类电子产品中的电源管理
- USB Type-C 保护电路
- 手机和平板电脑的充电解决方案
