时间：2025/4/30 14:29:02
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DMP3165L 是一款 N 沯道增强型功率 MOSFET，采用小尺寸的 SOT23-3 封装形式。这款器件适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场合。其低导通电阻和优化的电容参数使其非常适合于便携式设备、消费类电子以及工业控制等应用中的电源管理与负载切换。
DMP3165L 提供了出色的性能表现，能够满足高频开关应用对效率和热性能的要求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（典型值）：75mΩ
栅极阈值电压（典型值）：1.2V
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：SOT23-3
该器件具有以下主要特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 小型化的 SOT23-3 封装，适合空间受限的设计。
3. 较低的栅极电荷，支持高频开关操作。
4. 宽泛的工作温度范围，确保在各种环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
DMP3165L 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 移动设备中的电池管理电路。
2. DC/DC 转换器中的同步整流或负载开关。
3. 便携式电子产品中的电源开关。
4. 消费类电子产品的负载保护电路。
5. 工业控制系统中的小型化电源模块。
DMN2019UH, FDS5301
