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DMP3160L-7 发布时间 时间:2025/6/28 15:13:25 查看 阅读:3

DMP3160L-7 是一款高性能的 N 沫场效应晶体管(N-MOSFET),广泛应用于功率管理、开关电源和电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,能够满足多种电子设备的设计需求。
  这款 MOSFET 以表面贴装封装形式提供,具体为 DPAK 封装,方便在紧凑型电路板设计中使用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:39nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

DMP3160L-7 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 3.5mΩ,从而显著降低了传导损耗,提高了效率。
  2. 快速开关性能,得益于较小的栅极电荷 (Qg),确保了高频应用中的优异表现。
  3. 高度可靠的热性能,能够在高温环境下稳定运行,适合工业级和汽车级应用。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。
  5. 具有出色的抗静电能力 (ESD),增强了器件的耐用性。
  6. 紧凑型封装 (DPAK) 提供了良好的散热性能,同时节省了 PCB 空间。

应用

DMP3160L-7 可用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机控制和驱动电路中的功率输出级。
  3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载切换和保护。
  4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  5. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理。
  6. 通信设备中的高效功率转换应用。

替代型号

DMP3060L-7, IRFZ44N, FDP5800

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DMP3160L-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C122 毫欧 @ 2.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds227pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.08W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMP3160LDITR