类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-1.8A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.5A
　　导通电阻RDS(on)：45mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)：60mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：290pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：7ns
　　关断延迟时间（td(off)）：28ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23 (SC-70)
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：1
　　功率耗散（PD）：350mW

DMP3160L-7-F采用先进的Trench MOSFET技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了在导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。其最大RDS(on)在-4.5V栅极驱动下仅为45mΩ，在-2.5V时为60mΩ，这使得该器件非常适合用于需要低电压控制逻辑直接驱动的应用场景，例如由3.3V或更低电压微控制器GPIO引脚直接驱动的开关电路。这种低阈值特性不仅简化了驱动电路设计，还避免了额外电平转换器的需求，有助于降低系统成本和复杂度。
　　该器件具备出色的热稳定性和较高的结温耐受能力，最高可达+150°C，使其能够在高温环境下可靠运行。同时，其小型SOT-23封装提供了良好的散热性能与紧凑尺寸之间的平衡，非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他对空间敏感的消费类电子产品中作为负载开关或电源路径控制元件。此外，器件内部集成的栅极氧化层经过优化，具备较强的抗静电能力，典型HBM ESD耐压可达±2000V，提升了在装配和使用过程中的鲁棒性。
　　DMP3160L-7-F还表现出优异的开关特性，包括快速的开启和关断响应时间，开启延迟约为7ns，关断延迟为28ns，这使得它可用于高频开关操作，如DC-DC转换器中的同步整流或高端开关应用。其较低的输入电容（Ciss=290pF）也减少了驱动所需的能量，进一步提升系统效率。总体而言，这款P沟道MOSFET在性能、尺寸和可靠性方面实现了良好平衡，是许多低功率电源管理设计的理想选择。

DMP3160L-7-F常用于便携式电池供电设备中的电源管理模块，例如智能手机、蓝牙耳机、智能手表等可穿戴设备，作为负载开关来控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或热插拔保护。它也被广泛应用于低压DC-DC转换电路中，作为高端开关管配合控制器使用，完成电压调节任务。此外，在电机驱动、LED驱动以及各种数字逻辑电平转换电路中，该器件凭借其低导通电阻和良好的开关特性，能够有效减少功耗并提高响应速度。工业传感器、医疗电子设备和小型物联网终端中也常见其身影，用于实现精确的电源控制和高效能管理。

[
　　 "DMG2305UX",
　　 "AO3415",
　　 "SI2301BDS",
　　 "FDMC8202",
　　 "RTQ2003-7F"
　　]