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DMP3125L-7 发布时间 时间:2025/12/26 10:02:30 查看 阅读:10

DMP3125L-7是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻和高开关性能的特点。该器件适用于多种电源管理应用,尤其是在空间受限的便携式电子产品中表现出色。其小型化的封装设计(如SOT-23或类似尺寸)使其非常适合用于需要高密度布局的电路板设计。DMP3125L-7在低电压控制逻辑接口下能够高效工作,支持电池供电系统中的负载开关、电源路径管理和电机驱动等功能。由于其P沟道结构,栅极驱动更为简便,无需额外的电平转换电路即可与常见的3.3V或5V逻辑信号直接兼容。
  DMP3125L-7的设计注重热效率和功率损耗优化,在连续工作条件下具备良好的稳定性和可靠性。该器件符合RoHS环保标准,并通过了多项工业级认证,适合在消费电子、通信设备和工业控制系统中广泛应用。此外,它还具备良好的抗静电能力(ESD保护),增强了在实际装配和运行环境中的耐用性。数据手册中提供了详细的电气特性曲线和安全工作区(SOA)信息,帮助工程师进行准确的热设计和电流应力评估。

参数

型号:DMP3125L-7
  类型:P沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):-20V
  最大栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):-1.9A
  脉冲漏极电流(IDM):-4.8A
  导通电阻(RDS(on)):55mΩ @ VGS = -4.5V
  导通电阻(RDS(on)):65mΩ @ VGS = -2.5V
  阈值电压(Vth):-0.8V ~ -1.4V
  输入电容(Ciss):290pF @ VDS=10V
  输出电容(Coss):150pF @ VDS=10V
  反向传输电容(Crss):45pF @ VDS=10V
  栅极电荷(Qg):6.5nC @ VGS=4.5V
  功耗(PD):1W
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOT-23-6

特性

DMP3125L-7采用先进的沟槽式MOSFET工艺,显著降低了导通电阻RDS(on),从而减少了在导通状态下的功率损耗,提高了整体能效。这一特性对于电池供电设备尤为重要,因为它有助于延长续航时间并减少发热问题。在VGS=-4.5V时,其典型RDS(on)仅为55mΩ,即使在较低的栅极驱动电压(如-2.5V)下也能保持65mΩ的良好表现,确保在低压逻辑控制下依然具备出色的开关能力。
  该器件具有快速的开关响应特性,得益于较低的栅极电荷(Qg=6.5nC)和输入电容(Ciss=290pF),能够在高频开关应用中实现更高的转换效率,适用于DC-DC转换器、同步整流和负载开关等场景。同时,较小的输出电容(Coss=150pF)有助于降低关断过程中的能量损耗,进一步提升系统效率。
  热稳定性方面,DMP3125L-7集成了良好的热反馈机制,能够在高温环境下自动限制电流以防止热失控。其最高结温可达+150°C,并具备优良的散热设计,配合PCB布局优化可有效传导热量。封装形式为SOT-23-6,体积小巧但引脚间距合理,便于自动化贴片生产,且支持回流焊工艺。
  此外,该MOSFET具备较强的抗干扰能力和可靠性,在实际应用中表现出优异的抗噪声性能和长期稳定性。内置的体二极管具有较快的反向恢复速度,适用于某些需要续流功能的拓扑结构。整体而言,DMP3125L-7是一款兼顾高性能、小尺寸和高可靠性的P沟道MOSFET,特别适合对空间和效率有严格要求的应用场合。

应用

DMP3125L-7广泛应用于各类便携式电子设备中,作为电源开关或负载控制元件使用。例如,在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,常被用于电池电源的通断控制、外设模块的供电管理以及USB端口的过流保护电路中。其低导通电阻和快速响应特性使其成为理想的选择,既能减少压降损失,又能实现精确的电源域隔离。
  在DC-DC转换器电路中,DMP3125L-7可用于同步整流拓扑,替代传统的肖特基二极管以提高转换效率。尤其在升压或降压型稳压器中,作为高端或低端开关使用时,能够有效降低传导损耗,提升整体电源系统的能效表现。
  此外,该器件也常见于电机驱动电路、继电器驱动和LED背光控制等应用场景。在这些应用中,其P沟道特性简化了栅极驱动设计,无需复杂的自举电路即可实现有效的电压控制。由于其具备较高的输入阻抗和较低的驱动功率需求,非常适合与微控制器或逻辑门电路直接连接。
  工业控制领域中,DMP3125L-7可用于传感器模块的电源管理、I/O端口保护以及低功耗待机模式下的电源切断功能。其宽泛的工作温度范围和稳定的电气特性保证了在恶劣环境下的可靠运行。总之,这款MOSFET凭借其紧凑的封装、优异的电气性能和广泛的适用性,已成为众多现代电子系统中不可或缺的关键组件之一。

替代型号

[
   "DMG2305U",
   "SI2301DDS",
   "AO3401A",
   "FDC630P",
   "BSS84"
  ]

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DMP3125L-7参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.82000剪切带(CT)3,000 : ¥0.71621卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)95 毫欧 @ 3.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)3.1 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)254 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)650mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3