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DMP3120L-7-F 发布时间 时间:2025/7/9 9:25:39 查看 阅读:19

DMP3120L-7-F是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用SOT-23封装形式。该器件广泛应用于需要低导通电阻和快速开关性能的电路中,例如电源管理、负载开关、便携式设备以及消费类电子产品等场景。DMP3120L-7-F具有极低的导通电阻和较小的封装尺寸,使其非常适合空间受限的应用环境。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻(典型值):45mΩ
  导通电阻(最大值):60mΩ
  栅极电荷:3.6nC
  总电容(输入电容):10pF
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:SOT-23

特性

DMP3120L-7-F具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低功耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 小型化封装设计,有助于节省PCB空间。
  4. 高电流承载能力,支持高达2.9A的连续漏极电流。
  5. 宽泛的工作温度范围,适用于各种环境条件。
  6. 高可靠性,经过严格的质量测试流程确保产品性能稳定。

应用

DMP3120L-7-F在以下领域和应用中表现出色:
  1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
  2. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换电路。
  3. 电池供电系统的保护和控制。
  4. 消费类电子产品中的音频放大器驱动。
  5. 工业控制中的信号切换和隔离。
  6. 照明系统中的LED驱动电路。

替代型号

DMP2002UFG-7, DMN2002UFQ-7

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