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DMP3100L-7 发布时间 时间:2025/5/15 16:56:02 查看 阅读:1

DMP3100L-7 是一款基于 MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管 (Power NMOSFET),广泛应用于电源管理、开关电路以及电机驱动等场景。该器件采用小型化的 SOT-23 封装形式,具有低导通电阻和快速开关性能,非常适合于需要高效率和小尺寸解决方案的应用场合。
  此型号属于 DMOS 工艺制造的功率半导体器件系列,能够提供出色的电流处理能力和耐压性能,同时具备较低的功耗特性。

参数

最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  持续漏极电流(ID):4.8A
  导通电阻(RDS(on)):65mΩ
  总功耗(Ptot):450mW
  工作温度范围(Tamb):-55℃ to +150℃
  封装类型:SOT-23

特性

DMP3100L-7 的主要特点是其超低的导通电阻 (RDS(on)),这使得它在高频开关应用中表现出优异的效率。此外,该器件还具有以下显著优势:
  1. 高击穿电压(30V),确保了在各种负载条件下的稳定性。
  2. 快速开关速度,减少开关损耗,提高整体系统效率。
  3. 良好的热稳定性,即使在极端温度范围内也能保持一致的性能。
  4. 小型化 SOT-23 封装,节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。
  5. 可靠性高,支持长时间连续运行。

应用

DMP3100L-7 广泛用于消费类电子、工业控制和汽车电子领域中的多种应用,包括但不限于:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器或降压转换器开关元件。
  2. DC/DC 转换器中的功率开关。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. LED 驱动器中的电流调节元件。
  5. 各种便携式设备中的功率管理模块,如智能手机、平板电脑和其他物联网设备。

替代型号

DMP3008UH-7
  DMN2998UFN
  NTMFS4836NL
  FDMC6674

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DMP3100L-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 2.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds227pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.08W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)