时间：2025/6/26 13:59:26
阅读：5
DMP3098LDM是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。该器件采用小型封装设计，具有出色的热性能和电气特性，广泛用于消费电子、通信设备及工业控制领域。
型号：DMP3098LDM
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源电压）：-60V
Rds(on)（导通电阻）：2.4mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：50A
Vgs（栅源电压）：±20V
封装：TO-252(DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
DMP3098LDM具有非常低的导通电阻Rds(on)，这使其在功率转换应用中表现出色，能够显著降低传导损耗。
其额定漏极电流高达50A，并且支持高达60V的工作电压，非常适合驱动大电流负载。
该器件还具备优秀的开关速度，有助于提高系统效率并减少电磁干扰(EMI)。
DMP3098LDM采用了DPAK封装形式，这种封装不仅散热效果好，而且易于焊接和安装，同时提供了牢固可靠的机械结构以应对恶劣环境。
DMP3098LDM主要应用于各种电源管理解决方案，例如直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。
它也可以用作同步整流器中的功率开关元件，在计算机、服务器、网络设备和其他高性能电子产品中有广泛应用。
此外，由于其出色的电流承载能力，DMP3098LDM也适合于LED驱动器和音频功放等高功率应用场景。
DMP3098LDG, IRFZ44N, FDP5500
