时间：2025/7/8 21:16:55
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DMP3056LSS-13是一款N沟道增强型MOSFET，采用超小型DFN3*3封装。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种功率转换应用。由于其出色的电气性能和紧凑的尺寸，它广泛应用于便携式电子设备、电源管理模块以及电机驱动电路中。
此型号属于Diodes Incorporated公司旗下的MOSFET产品系列，特别适合需要高效能与高密度集成的设计场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：6.7A
导通电阻（Rds(on)）：4mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：1.2W
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 超低导通电阻，可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 小型化DFN3*3封装设计，节省PCB空间。
3. 高速开关性能，适用于高频开关电源及DC-DC转换器。
4. 支持大电流操作，满足多种负载需求。
5. 提供优异的热稳定性和可靠性，适应苛刻的工作环境。
6. 内置ESD保护功能，增强抗静电能力。
1. 手机和平板电脑等便携式设备中的充电管理。
2. 笔记本电脑适配器和快充头的同步整流。
3. 汽车电子系统的负载切换与保护。
4. 电机驱动电路中的功率级控制。
5. 各类DC-DC转换器和降压/升压稳压器设计。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
DMP3056LSS-7,DMP3008UFG-7,DMP3008UFG-13
