时间：2025/8/2 7:53:49
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DMP3050LSS-13 是一款由 Diodes 公司制造的双 N 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率转换的应用。该器件采用了先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(ON)）和高电流处理能力，适合用于同步整流、负载开关、DC-DC 转换器等场景。DMP3050LSS-13 采用小型的 8-SOIC 封装，便于在空间受限的设计中使用。
类型：MOSFET
沟道类型：双 N 沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：5.5A（最大）
导通电阻（RDS(ON)）：26mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：8-SOIC
DMP3050LSS-13 是一款高性能的双 N 沟道 MOSFET，其主要特性包括低导通电阻、高电流能力和小型封装。
该器件采用了先进的沟槽技术，能够在低栅极电压下提供优异的导通性能，从而降低功率损耗，提高效率。其导通电阻仅为 26mΩ，在 10V 栅源电压下可支持高达 5.5A 的漏极电流，非常适合用于高频率的 DC-DC 转换器设计。
此外，DMP3050LSS-13 的 8-SOIC 封装设计不仅节省空间，还具备良好的热性能，确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也使其适用于工业级和汽车电子应用。
该 MOSFET 支持快速开关，减少了开关损耗，并具有较高的热稳定性和可靠性。在同步整流、负载开关、电机控制和电池供电设备中均有广泛应用。
DMP3050LSS-13 常用于多种功率管理应用，包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统以及便携式电子产品中的电源管理模块。
由于其双 N 沟道结构和低导通电阻特性，该器件特别适合用于高效率的同步整流电路，以提高电源转换效率并减少发热。
在 DC-DC 转换器中，DMP3050LSS-13 可用于高边和低边开关，实现高效的升压或降压功能。其高电流能力和小型封装也使其成为空间受限应用的理想选择，如智能手机、平板电脑和物联网设备中的电源管理单元。
此外，该器件还可用于电机驱动和电池保护电路中，提供可靠的开关性能和过载保护能力。
Si3442CDV-T1-GE3
FDMS3602
DMP2035UFG-13
DMN6024LSD-13
