DMP3036SSS 时间：2025/5/10 11:28:18 阅读：21

DMP3036SSS是一款N沟道增强型MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计而成。该器件适用于需要高效功率转换和低导通电阻的电路应用。其小型化封装形式使其非常适合空间受限的设计场合，同时保持了优异的电气性能和可靠性。
　　这款MOSFET的主要特点是具有较低的导通电阻和快速开关特性，这使得它在电源管理、电机驱动以及负载切换等应用中表现出色。通过优化的结构设计，DMP3036SSS能够在高频工作条件下维持高效的能量转换。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：6.9A
　　导通电阻（典型值）：2.8mΩ
　　栅极电荷：15nC
　　输入电容：440pF
　　总耗散功率：1.7W
　　工作温度范围：-55℃至150℃

特性

DMP3036SSS具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
　　2. 快速开关速度，适合高频操作环境。
　　3. 小型化的DFN3x3封装，节省印刷电路板的空间。
　　4. 高电流承载能力，支持大功率应用。
　　5. 优秀的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
　　DMP3036SSS因其卓越的性能，在多种电子设备中都能提供可靠的解决方案。

应用

DMP3036SSS广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器等。
　　2. 直流-直流转换器，用于电压调节和电平转换。
　　3. 电池保护电路，防止过充或过放。
　　4. 电机驱动器，控制小型直流电机的速度和方向。
　　5. 负载开关，实现对不同负载的动态管理。
　　6. 固态继电器，替代传统机械继电器以提高可靠性和寿命。
　　这些应用场景充分利用了DMP3036SSS的高效能和紧凑设计优势。