时间：2025/12/23 23:26:48
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DMP3036SFV 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用超小型 SOT23-3L 封装。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高电流能力，适用于各种功率管理应用。其低 Qg 和 Rds(on) 特性使其成为便携式电子设备和高效能电源设计的理想选择。
这款 MOSFET 广泛应用于负载开关、DC-DC 转换器、电池管理、LED 驱动等场景，能够提供卓越的效率和可靠性。
型号：DMP3036SFV
封装：SOT23-3L
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：30V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
持续漏极电流 (Id)：4.1A
导通电阻 (Rds(on))：55mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
总栅极电荷 (Qg)：7nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
DMP3036SFV 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用环境。
3. 小型化 SOT23-3L 封装，节省电路板空间。
4. 较高的漏源击穿电压 (30V)，确保在多种应用场景中的稳定性。
5. 宽广的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃)，适应严苛的工作条件。
6. 可靠性高，抗 ESD 能力强，符合工业级标准。
DMP3036SFV 常见的应用领域包括：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的功率开关。
3. 各类便携式电子设备的负载开关。
4. 电池保护和管理电路。
5. LED 驱动器中的电流控制。
6. 电机驱动和信号切换。
由于其紧凑的封装和高性能表现，DMP3036SFV 在消费电子、通信设备以及工业控制等领域中得到广泛应用。
DMN2998SFV, DMN2997UFQ, FDN340P
