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DMP3035LSS-13 发布时间 时间:2025/5/16 14:04:42 查看 阅读:21

DMP3035LSS-13是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频、高效率开关应用设计。该器件采用DFN8封装形式,具有超低的导通电阻和快速开关性能,适用于各种电源转换电路,如DC-DC转换器、AC-DC适配器以及充电器等场景。
  这款晶体管具备增强型模式(e-mode)工作特性,支持高达100V的工作电压,能够显著降低系统损耗并提升整体效率。其卓越的热性能和紧凑的封装尺寸使其成为高密度功率设计的理想选择。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻:25mΩ
  栅极电荷:45nC
  输入电容:980pF
  反向传输电容:210pF
  工作温度范围:-40℃至+150℃

特性

1. 基于先进的GaN技术,提供极低的导通电阻和高速开关能力。
  2. 支持高频率操作,可显著减小磁性元件的体积和重量。
  3. 封装紧凑,便于在空间受限的应用中使用。
  4. 具有出色的热性能和可靠性,确保长时间稳定运行。
  5. 内置ESD保护功能,增强了器件的鲁棒性。
  6. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子设备需求。

应用

1. 高效DC-DC转换器设计。
  2. USB PD快充适配器和充电器。
  3. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  4. 能量回收及逆变器应用。
  5. 工业自动化和通信电源模块。
  6. 消费类电子产品的小型化电源解决方案。

替代型号

DMP2007UFG-7
  GAN063-650WSA
  TPG1506G4
  STGAP100

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DMP3035LSS-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs30.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1655pF @ 20V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)