时间：2025/4/28 18:34:08
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DMP3035LSS-13-F是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Diodes Incorporated生产。该器件采用DFN3x3-8封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等。其优异的性能和小型化设计使其成为便携式电子设备的理想选择。
这款MOSFET的设计优化了导通电阻与栅极电荷之间的权衡，从而在开关应用中实现了更高的效率和更低的功耗。同时，其出色的热性能确保了在紧凑空间内的可靠运行。
型号：DMP3035LSS-13-F
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：2.5mΩ（典型值，在VGS=10V时）
ID（连续漏极电流）：9A
VGS(th)（栅极阈值电压）：1.6V~2.4V
Qg（总栅极电荷）：7nC
fT（截止频率）：1.4GHz
封装：DFN3x3-8
DMP3035LSS-13-F具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 小型化的DFN3x3-8封装，适合空间受限的应用。
3. 低栅极电荷（Qg），支持高频开关操作。
4. 宽工作温度范围：-55°C至+150°C，适用于各种环境条件。
5. 高浪涌能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
5. 电机驱动和逆变器应用。
6. 消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。
DMP3035S-13-E,DMP3035LSS-7,DB3FFH30N3L
