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DMP3028LSD-13 发布时间 时间:2025/6/29 0:19:41 查看 阅读:6

DMP3028LSD-13 是一款基于 DMOS 工艺制造的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于各种需要高效功率转换的应用场合,如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。它采用了小型化的 SOT-23-3 封装形式,能够有效节省电路板空间。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.8A
  导通电阻:75mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:6nC(典型值)
  开关速度:快速开关
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOT-23-3

特性

DMP3028LSD-13 具有低导通电阻和低栅极电荷的特性,使其非常适合高频开关应用。同时,其小型化封装有助于减少 PCB 占用面积,提高整体设计灵活性。
  该 MOSFET 的快速开关性能可以显著降低开关损耗,从而提升系统的效率。此外,其出色的热稳定性确保了在高温环境下仍能保持可靠的性能表现。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。具体应用场景包括但不限于以下几种:
  1. 开关电源中的同步整流器
  2. DC-DC 转换器中的功率开关
  3. 手机和平板电脑中的负载开关
  4. 电池管理系统中的保护开关
  5. 小功率电机驱动电路
  DMP3028LSD-13 的紧凑尺寸和高效性能使其成为这些应用的理想选择。

替代型号

DMN2028UJ-13, FDS6680, BSS138

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DMP3028LSD-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥4.93000剪切带(CT)2,500 : ¥1.90632卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)25 毫欧 @ 7A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10.9nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1241pF @ 15V
  • 功率 - 最大值1.3W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SO