类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(VDSS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：-1.9A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-4.8A
　　导通电阻(RDS(on))：58mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：85mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻(RDS(on))：110mΩ @ VGS = -1.8V
　　阈值电压(Vth)：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容(Ciss)：240pF @ VDS = 10V
　　反向传输电容(Crss)：30pF @ VDS = 10V
　　输出电容(Coss)：260pF @ VDS = 10V
　　栅极电荷(Qg)：5.5nC @ VGS = -5V
　　功率耗散(PD)：300mW
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23-3
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：1

DMP22D6UT-7采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造，具备出色的导通特性和开关效率。其最大漏源电压为-20V，能够承受一定程度的瞬态过压，适合用于低压直流电源系统中的开关控制。在VGS=-4.5V时，RDS(on)典型值仅为58mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体能效。即使在较低的栅极驱动电压如-2.5V或-1.8V下，也能保持相对较低的导通电阻，这使得它可以直接由微控制器或其他低电压逻辑电路驱动，无需额外的电平转换或驱动芯片，简化了系统设计并降低成本。
　　该器件的阈值电压范围为-0.8V至-1.4V，确保在不同工艺偏差下仍能可靠开启，避免因阈值漂移导致的误动作。输入电容Ciss为240pF，Crss为30pF，这些较小的寄生电容有助于减少高频开关过程中的能量损耗，并降低栅极驱动所需的功率。同时，低Qg（5.5nC）进一步提升了高频应用下的响应速度与效率。
　　SOT-23封装不仅体积小巧（约2.8mm×2.2mm），还具备良好的散热性能，配合PCB上的适当铜箔面积可有效将热量传导出去，从而允许器件在较高负载下持续工作。热阻RθJA约为417°C/W，建议在高功耗应用中优化布局以增强散热。
　　此外，DMP22D6UT-7具有优良的雪崩耐量和抗静电能力，增强了在复杂电磁环境下的可靠性。内置体二极管可用于续流或反接保护，在某些拓扑结构中可省去外部分立二极管。整体而言，这款MOSFET在性能、尺寸和成本之间实现了良好平衡，是中小功率P沟道开关应用的理想选择。

DMP22D6UT-7常用于各类便携式电子产品的电源管理模块中，例如作为电池供电系统的负载开关，用于控制子系统的上电与断电，实现节能待机或故障隔离功能。在USB接口、传感器模块、显示屏背光驱动等需要按需供电的场景中，该器件可作为高端开关使用，利用其P沟道特性直接控制电源路径，简化外围电路设计。
　　在DC-DC转换器中，DMP22D6UT-7可用于同步整流或电平移位电路，尤其是在非隔离式降压变换器的低端开关位置，虽然N沟道更为常见，但在特定低电流场合下P沟道方案更具集成优势。此外，它也可用于电机驱动、继电器驱动电路中的反激能量泄放通路，或者作为模拟开关的一部分，实现信号通断控制。
　　由于其具备良好的温度稳定性和长期可靠性，该器件也被广泛应用于工业控制、智能家居设备、医疗电子和个人护理产品等领域。在热插拔电路设计中，DMP22D6UT-7可用于限制浪涌电流，防止电源扰动影响整个系统。结合适当的限流电阻和RC缓冲网络，还能提升EMI性能，满足电磁兼容要求。总之，凡是在3.3V或5V系统中需要一个小型化、高效、低成本P沟道MOSFET的地方，DMP22D6UT-7都是一个极具竞争力的选择。

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　　 "DMG2302UK-7",
　　 "FMMT718",
　　 "AO3401A",
　　 "Si2301DS",
　　 "BSS84"
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