时间：2025/6/14 20:19:04
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DMP2200UDW-7是一款由Diodes Incorporated公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，适用于各种高效能电源管理应用。其封装形式为SOT-363（SC-89），非常适于空间受限的设计。
型号：DMP2200UDW-7
类型：N沟道MOSFET
封装：SOT-363 (SC-89)
漏源极电压(Vds)：30V
栅源极电压(Vgs)：±15V
连续漏极电流(Id)：2.6A
导通电阻(Rds(on))：120mΩ (在Vgs=4.5V时)
总功耗(Ptot)：470mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
DMP2200UDW-7具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了高效的功率传输，并降低了导通损耗。
2. 快速开关速度使得该MOSFET非常适合高频开关应用，例如DC-DC转换器和负载开关。
3. 小巧的SOT-363封装节省了PCB空间，使其成为便携式电子设备的理想选择。
4. 出色的热稳定性和鲁棒性设计，保证了在恶劣环境下的可靠运行。
5. 支持宽范围的工作温度，适应各种工业和消费类应用场景。
DMP2200UDW-7广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
2. DC-DC转换器中的同步整流和负载切换。
3. 电池保护电路和充电管理系统。
4. 开关模式电源(SMPS)以及LED驱动器。
5. 各种工业控制和通信接口中的信号切换和保护功能。
DMP2002UFG-7, DMP2200UFH-7
